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ddr4连接器相关知识 (多片ddr4怎么连接)

本文目录一览:

ddr4引脚数是多少?

ddr4引脚数是284。

DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日,三星电子完成史上第一条DDR4内存。

DDR4相比DDR3最大的区别有三点:16bit预取机制(DDR3为8bit),同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2V,更节能。

DDR4与以前的内存接口不兼容,需要X99主板才能支持。

扩展资料

DDR3 与 DDR4 的外坦巧观差异

1、卡槽差异

DDR4 模组上的卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置不同。两者的卡槽都位于插入侧,但 DDR4 卡槽的位置稍有差异,以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。

2、增加厚度

为了容纳茄虚更多信号层,DDR4 模组比 DDR3 稍厚。

3、曲线边

DDR4 模组提供曲线边以让纳键方便插入和缓解内存安装期间对 PCB 的压力。

lpddr4和ddr4的区别有哪些?

DDR4也叫DDR4 SDRAM,其中DDR是Double Data Rate SDRAM的缩写,即双倍速率同步动态随机存储器。目前主流的台式机、笔记本迟漏册电脑都采用的是DDR4规格的内存。那么lpddr4和ddr4的区别有哪些呢?

1、 传输速率不同。LPDDR4输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps。LPDDR4X采用超薄先进封装,在提供与LPDDR4相同速度的同时,能够加快多任务处理速度并优化用户体验。

2、 功耗不同。LPDDR4低功码宏耗解决方案,与LPDDR3相比,功耗降低37%。LPDDR4X卓越的高能效解决方案在性能方面比超快的LPDDR4更进一步,而能耗比LPDDR4降低了17%。

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DDR4的相关信息

x8表示单颗数贺闷据位宽为8bit,x16表示单颗数据位宽为16bit

x8的DDR4有4个bank group,每个bank group连接4个bank。

x16的DDR4有2个bank group,每个bank group连接4个bank

DDR4可以在时钟的上边沿与下边沿都发送数据。所以在计算传输速度的时候需要乘一个2。比如对DDR4 2400MT/s而言。意味着该DDR4每秒可以传输2400M次,这意味着。该DDR可以工作在1200M的频率。如果DDR4的位宽为64bit。那么传输速度为2400M * 64/8=18.75GB/s。如果user 端的频率为300M,位宽为512bit。可以计算出速度为:300M * 512/8=18.75GB/s。

它在内部设计了Bank Group架构,每个Bank Group可以独立读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。如果内存内部设计了两个独立的bank group那么相当于每次操作16bit的数据。

传统的DDR3设计中内存和内存控制器采用多点分支总线链接。这种总线允许在一个接口上挂接很多规格的芯片。这种设计类似于为每次只能双向通行一对汽车的道路边修建仓库,仓库直连道路,虽然每个仓库都有自己的运输车和运输能力,但道路只允许每次双向通行一对车,因此这种设计如果不停的加修仓库,只是扩大了存储能力而已,对运输能力帮助不大。

DDR4抛弃了这种设计,转而采用点对贺源点总线。点对点总线的特性是内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存,相比多点分支总线,点对点相当于为每个仓库都设计了一条道路

如果同时只有两个Group FSM在发送。那么效率就是2/3= 66.7%。当有4个Group FSM在运作时,效率可以达到100%

内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS(Activeto Precharge Delay),预充电后,内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址,然后初始化tRCD,周期结束,接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的。

在数据读取完之后,为了腾出读出放大器以供同一Bank内其他行的寻址并传输数据,内存芯片将进行预充电的操作来关闭当前工作行。还是以上面那个Bank示意图为例。当前寻址的存储单元是B1、R2、C6。如果接下来的寻址命令是B1、R2、禅拍弯C4,则不用预充电,因为读出放大器正在为这一行服务。但如果地址命令是B1、R4、C4,由于是同一Bank的不同行,那么就必须要先把R2关闭,才能对R4寻址。从开始关闭现有的工作行,到可以打开新的工作行之间的间隔就是tRP(Row Precharge command Period,行预充电有效周期),单位也是时钟周期数。

init_calib_complete 是一个高有效信号,表明DDR4的初始化和校准已经完成,可以正常接受信号了。

控制器操纵DRAM的时钟频率和系统时钟的比率为4比1