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内光电效应对应的光电元件各是那些?
1、光电晶体管。光电晶体管（Phototransistor）是一种光触发型的晶体管，是一种利用内光电效应原理制成的光电器件。
2、光电导效应相关的器件包括光电导探头和测量器，如异质结靶光电导摄像管、视像管以及硅靶摄像管等。 光生伏效应相关的器件主要是光伏探测器，例如光电池和光电三极管等。
3、光电效应有外光电效应、内光电效应和光生伏特效应三种。基于外光电效应的光电元件有光电管、光电倍增管等；基于内光电效应的光电元件有光敏电阻、光敏晶体管等；基于光生伏特效应的光电元件有光电池等。
4、内光电效应中常用的器件有Photodiode，简称PD，一般叫光电二极管，还有比较常见的器件有APD。
5、内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类：（1） 光电导效应 在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。
内光电效应的两种类型及特征
1、内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。光电导效应：当入射光子射入到半导体表面时，半导体吸收入射光子产生电子空穴对，使其自生电导增大。
2、内光电效应是光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化（比如电阻率改变，这是与外光电效应的区别，外光电效应则是逸出电子）。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。
3、内光电效应是指在半导体中电子由价带跃迁至导带时，所具有的吸收光子能量的能力。当半导体内部某一处强光照射时，光子被半导体吸收后，即可激发出自由电子和空穴，形成电子-空穴对，电子跃迁到导带，而空穴则留在价带上。
4、光电池：光电池利用外光电效应将太阳光转化为电能。在光电池中，光子袭击半导体，导致半导体中的电子和空穴分离，从而产生电场和电流。
内外光电效应有那些器件
1、外光电效应中最常用的就是PMT，光电倍增管，主要用于探测弱光，如荧光分析。内光电效应中常用的器件有Photodiode，简称PD，一般叫光电二极管，还有比较常见的器件有APD。
2、光电子发射：现在常用的半导体发光材料基本上都可以属于这一类，常见的元器件有LED（发光二极管）。光电导效应：光敏电阻。
3、光生伏特效应是指在光作用下，物体产生一定方向电动势的现象。基于该效应的器件有光电池和光敏二极管、三极管。其中包括垒效应、侧向光电效应、光电磁效应和贝克勒耳效应等。
4、光电二极管。光电二极管（Photodiode）是一种利用内光电效应原理制成的器件，是一种半导体二极管结构，它能够将光信号转换为电信号。