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快恢复二极管容易坏吗?
一般来说按规范使用的快恢复二极管是很稳定的，物理性破坏不说，当二极管正负级接反和电压电流超标很容易导致二极管损坏。在二极管使用过程中，以下情况也可能导致出现损坏或失效。防雷、过电压保护措施不力。
电流过大，通过快恢复二极管的电流长时间超过其额定电流，过热烧毁，这个是比较常见的原因。买到低频二极管用在高频电路中，造成二极管过热烧毁。快恢复二极管规格型号不符。
不可以。温度太高，稳定性差，非常容易损坏。
快恢复二极管的耐压性超乎想象。若用普通二极管替代，可能会导致消耗剧增，电路负担加重，电源效率直线下降。最严重的后果？二极管可能化为灰烬，电路短路或炸机风险大增。PIN结型二极管快恢复二极管的内部结构同样独特，属于PIN结型二极管。
其次是快恢复二极管的正向压降比肖特基大得多，所以发热很厉害。我还遇到过买到同一型号的功率肖特基管，质量参差不齐；厂家的人都直接说了，他们做的两种不同质量的，看你实际需要卖给你；会骗到很多人。
稳压二极管和稳压三极管损坏哪个容易损坏
1、容易坏的排序：按键--外壳--电池--接插件--喇叭麦克--集成电路--三极管二极管--电阻电容 一般就是洗洗、吹吹、擦擦 还有就是换换 呵呵。。
2、因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度(硅管为140左右，锗管为90左右)时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
3、三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种：锗管和硅管。
肖特基二极管为何容易被击穿?求推荐好的二极管厂家,最好在重庆_百度知...
1、运行管理欠佳。运行条件恶劣。防雷、过电压保护措施不力。设备安装或制造质量不过关。肖特基二极管规格型号不符。肖特基二极管安全裕量偏小。
2、电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
3、外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。
4、故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。
5、①、关于以上的这HBR5100肖特基二极管被击穿问题，主要是，供电电压过高 或 二极管本身性能参数发生变化等情况都有能损坏此二极管的。
6、辰达行MDD品牌不错，口碑很好，工厂在江苏，深圳有销售公司。
相同温度条件下硅二极管比锗二极管容易导通吗
锗管耐压低，结受温度影响变化大，电流导通小，而硅管就不同了，结受温度变化影响极小，电流导通大，耐压高，除硅二三极管外，常用大电流二极管，可控硅管等，现代大规模集成电路，芯片，太阳能电池板等大量使用。
必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0。2V，硅管约为0。6V）以后，二极管才能直正导通。
又如，2CP10型硅二极管，25时反向电流仅为5uA，温度升高到75时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 它的符号是I(下标R)。
导致内建电场强度小于硅。若想要PN结导通，外施正向电压形成的场强大小必须首先要能够克服该内建电场，对于硅材料，克服该电场需要0.6-0.8伏，对于锗材料克服该电场需要0.1-0.3伏。这就是硅管开启电压大的原因了。
硅管：硅二极管的导通电压通常在0.6-0.7伏特之间，这是硅的固有性质决定的。硅管的稳压性能优秀，具有较高的反向电压和温度特性良好。此外，硅二极管的结电容小，频率特性好。