本文目录一览：
- 1、半导体器件的寄生二极管、擎住效应和二次击穿
- 2、mos管gs间没有寄生二极管吗?表笔测量gs电阻怎么无穷大?
- 3、mos管中的寄生二极管都存在吗
- 4、请问:MOS管截止时,电流还会不会从体二极管流过?
- 5、MOS管寄生二极管方向是不是随D,S极那边电压高,二极管的负极就与高电压...
- 6、MOS管DS间有寄生二极管,如何测试BVDSS
半导体器件的寄生二极管、擎住效应和二次击穿
1、寄生二极管肯定是存在的，只要你的器件中有PN结。单极性器件易损坏MOS管属于单极性器件，在导通过程中施加反向电压，很容易损坏。擎住效应具有破坏性对于晶闸管和GTO，擎住效应是正常的，而对MOS或者IGBT，这个效应是具有破坏性的。
2、产生二次击穿的原因主要是管内结面不均匀、晶格缺陷等。
3、擎住效益预防方法，为了防止这种关断过程中出现擎住效应，一方面应在IGBT集电极C-发射极E两端并联接入一个电容，减小关断时的duCE/dt。
4、擎住效应，在IGBT内部寄生着一个N-PN+晶体管和作为主开关器件的P+N-P晶体管组成的寄生晶闸管。
mos管gs间没有寄生二极管吗?表笔测量gs电阻怎么无穷大?
．MOS管栅极与漏、源两极之间绝缘阻值很高，因此在测试过程中G-D、G-S之间均表现出很高的电阻值。而寄生二极管的存在将使D、S两只管脚间表现出正反向阻值差异很大的现象。
正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。若测得某两极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。
应该正向导通，反向电阻无穷大。此时，剩下的就是g级，用R*1K档，黑表笔接g，红表笔接s，在g，s间充电，然后再将黑表笔接d，表指针会偏转，然后慢慢返回，说明管子是好的。
若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。
mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
静态测量判断MOS管和IGBT管的好坏 先将两个管子的管脚短路放掉静电，MOS管的D极与S极之间有个PN接，正向导通反向截止，于是有Rgd = Rgs = Rds =无穷大，Rsd=几千欧。
mos管中的寄生二极管都存在吗
1、不是所有的MOS管都有寄生二极管，只有V-MOS管才有寄生二极管。数字表的电阻档不能测量二极管，必须用二极管档测量，才能在一个方向测到电阻（电压），反方向不通。
2、寄生二极管肯定是存在的，只要你的器件中有PN结。MOS管属于单极性器件，在导通过程中施加反向电压，很容易损坏。
3、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
4、这个二极管不是所有的MOS管都有，有没有与生产工艺有关。一般大功率管工艺为VMOS、TMOS等，就有这个二极管。它不是特意做出来的，是生产时自然形成的。小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。
5、这个二极管是跟生产工艺有关的，并不是每个都有，像一些小功率的MOS和集成电路中有些就没有这个二极管，这个二极管产生的原因主要是因为我们在生产MOS的时候会将源级S接到衬底P上。
6、源极等同一方向，没有这个二极管。模拟电路书里讲得就是小功率 MOS 管的结构，所以没 有这个二极管。但 D 极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接 S 极，因此自然在 DS 之间有二极管。
请问:MOS管截止时,电流还会不会从体二极管流过?
1、这种情况下，管子的压降往往比体内二极管小，故S到D电流不会通过体内二极管，实在不行换一个，或者在硬之城上面找找这个型号的资料。
2、放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。
3、MOS管导通后，反向时主要是流过沟道，因为体二极管本身有比较大的二极管压降，约为0.7V，沟道相当于把体二极管给短路了。
4、本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的。
5、这主看你这漏电流的大小标准了，标准不同时就可有或没有。因它多多少少都有一点。前一个比成开关是理想化的，后一个有是实际中的。
MOS管寄生二极管方向是不是随D,S极那边电压高,二极管的负极就与高电压...
本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的。
寄生二极管：/虽然单个MOS管存在保护负载的功能，但在集成芯片中已消除这种影响。 耐压MOS的选择：/不同耐压级别的MOS管影响电阻分布和器件性能，如低电压适合PWM应用，而高电压则适用于高阻抗场合。
使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。
D极输入，S极输入，漏极可以流向源极；源极也可以流向漏极，但是源极本身就可以直接通过寄生二极管流向漏极，那样三极管的存在也没有意义了，寄生二极管是生产工艺中制造存在的，在分析问题的时候可以不作考虑。
如果D极电压高于S极是不是这个二极管就会导通那要看管子的极性，是P沟还是N沟。这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。
总之，有标记的一头肯定是负极的 对于大功率的二极管而言，一般都有一个二极管的符号标示，小的像1n4007之类的，会在负端有一圈白环来标示。而4148之类的玻封管，则是用黑环来标示负极。
MOS管DS间有寄生二极管,如何测试BVDSS
把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。
用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。然后调换红黑表笔，再去测量D-S两极，则万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降（见上图）。
在MOS管的DS极间，有个寄生二极管。根据以上特点，我们可以对它的击穿情况进行好坏的判断。我们先根据栅极电阻找到栅极，万用表选择100k档，测量栅极和漏极以及源极的电阻。它们通常在几十到100k以上。
第一步：将万用表置于二极管档测量，用红表笔接控制器负极，黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿、蓝线，读数约在500左右（数字万用表），三次读数应基本一致。