本文目录一览：
二极管中电压当量有什么用
该电压与温度有关，用VT表示。在二极管和三极管的研究中，该物理量可以表示扩散系数和迁移率的内在联系，也表示载流子在半导体中定向运动的难易程度。VT=Dp/μp=Dn/μn。
UT是温度电压当量，常温下UT=26mv(T=300K)。
VT称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为 VT = kT／q 其中 T为热力学温度，单位是K；q是电子的电荷量，；k为玻耳兹曼常数，。
例如，一个二极管的顺向电压降会随着温度的升高而降低，这种现象可以用温度电压当量来解释。- **实际应用**：在电路设计中，了解和使用温度电压当量对于确保器件在各种温度条件下正常工作非常重要。
因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。
当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别
如果外加的是正向电压，温度升高时，扩散运动加强，多数载流子运动加剧，正向电流增大，二极管正向特性曲线向左移动，导通压降减小。
二极管是温度的敏感器件，温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高，其正向特性曲线左移，即正向压降减小。反向特性曲线下移，即反向电流增大。
二极管的正向电压将减小，反向饱和电流将增大。在环境温度升高时，正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移。在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2~5mV，温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。
反向电流：当二极管所加反向电压的数值足够大时，产生反向电流为IS。在环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下。如图所示。
温度升高时，二极管的反向特性曲线之所以下移，表示是反向电流的增大，这有别于正向电流增大。从垂直坐标上可看作绝对值的增加，但却是反方向的增加。
二极管电压的单位是什么?
1、UT是温度电压当量，常温下UT=26mv(T=300K)。
2、测二极管时显示的数值单位时v（伏），也就是这个二极管的压降，例如一个二极管测试数字为735，那它的压降约为0.7v，一个3v的电源串联一只0.7v的二极管之后，电压大约下降为3v！这是理论数值，实际有点偏差。
3、数字万用表二极管档时屏幕示数单位是mV，表示两个表笔之间的电压。
4、早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。
5、最大正向电压（Vf）：表示二极管正向导通时的最大电压，该值以伏特（V）为单位。最大反向电压（Vr）：表示二极管反向电压的最大值，超过该值会击穿导致损坏。
什么是温度电压当量?
温度电压当量，与热力学温度成正比，二极管的温度电压当量表示为 ：VT = kT／q 其中 T为热力学温度，单位是K，T=t+273，其中t为摄氏温度；q是电子的电荷量；k为玻耳兹曼常数。
闭合电路中，由于两点间存在温差而出现的电位差叫做热电压(Thermal voltage)。也称为温度电压当量。
UT是温度电压当量，常温下UT=26mv(T=300K)。
VT称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为 VT = kT／q 其中 T为热力学温度，单位是K；q是电子的电荷量，；k为玻耳兹曼常数，。
二极管中电压当量有什么用应该是与流过二极管中电荷流向时产生的热效应的电压，可称为温度电压当量，来判断二极管的工作时电压电流的工作情况。
温度升高时二极管的死区电压
1、对于正向来讲，当温度上升时，二极管的死区电压和正向电压都将减小。在同样电流下，温度每升高1度，二极管的正向压降低2-5mv.由于二极管的反向电流由少量少子漂移形成，少子的浓度受温度的影响非常大。
2、死区电压的大小与半导体材料和环境温度有关，一般室温下（25℃时）锗二极管为0.2V左右，硅二极管为0.6V左右，温度每升高1℃它们都大约降低5mV。
3、锗二极管的温度性能和死区电压之间 其实内在是有很大关联的，原因是因为锗和硅禁带宽度不同。锗的禁带宽度低，所以相对不耐温，但是死区小（死区大小在数值上等于禁带宽度对应电压值加绝对温度与温度系数（负的）的乘积）。
