本文目录一览：
- 1、怎么计算二极管的压降和电流啊?
- 2、关于二极管电流计算
- 3、请问怎么求稳压二极管上的电流,这一题
- 4、N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...
- 5、三极管,二极管电流公式
- 6、5题,求二极管中的电流Id
怎么计算二极管的压降和电流啊?
两个电阻上的压降就是电源电压减去二极管压降，即两个电阻上的压降是10-0.7=3V；两个电阻的电流就是3V除以两个电阻的串联值即20Ω，即电流I=3/20=0.465A 两个电阻两端电压分别为U=IR=0.465*10=65V。
对于常用的几毫米大小的二极管，其工作电流一般在2毫安至20毫安之间，电流越大亮度越高，用电源电压减去二极管的压降，再除以设定的工作电流，就得出限流电阻的阻值。
负载两端的电势差（电位差）就可以认为是电压降。电压降是电流流动的推动力。如果没有电压降，也就不存在电流的流动。
导通压降：二极管开始导通时对应的电压。正向特性：在二极管外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零。
导通压降VF：VF为二极管正向导通时二极管两端的压降，当通过二极管的电流越大，VF越大；当二极管温度越高时，VF越小。
要求二极管的正向导通压降为5V，你可以通过选择合适的二极管和电阻来实现。首先，确定二极管的额定电流和最大正向压降。然后，使用欧姆定律计算所需的电阻值。公式为：电阻值（R）= 电压降（V）/ 电流（I）。
关于二极管电流计算
-R1(6+6)/(R1+R2)=6-2x12/5=2V 此时符合二极管导通条件，因此二极管应该导通，而后个导通后端口电压为0.7V，左边电压源所提供电流为(6-0.7)/R1=3V/2K=65mA，方向自下而上。
) 10)功耗=0，11)功耗=25mAx10=250mw。
左正右负。二 极管恢复原位置，由于二极管的极性左正右负，允许电流按图示方向流动，而等效电压源实 际极性也是左正右负，二极管作为理想二极管看，则：I=3/75 =12/7（mA)I=12/7mA，方向如图示。
硅二极管正向压降0.6V，不能导通，I=0.锗二极管正向压降0.2-0.3V，可以导通。取0.3V计算。
限流电阻R可用下式计算：R=（E－UF）/IF 式中E为电源电压，UF为LED的正向压降，IF为LED的正常工作电流。发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。
二极管反向饱和电流计算公式为Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10]。式中t0为参考温度，上式表明温度每升高10℃时，Is(即本征激发的载流子浓度值ni)增大一倍。
请问怎么求稳压二极管上的电流,这一题
当Ui=10V时，假设稳压管能稳压，那么，Uo=Wz=6V。1K欧电阻上面的压降为10-6=4V，流过这个电阻的电流为4/1000=4mA。
——★计算流经稳压二极管的电流，可以用外加电压减去稳压二极管的电压，再除以限流电阻（欧姆定律）就是流过稳压二极管的工作电流了。
最大电流计算：据上所述，稳压管允许的最大电流Izm是根据该稳压管型号的额定耗散功率计算出来的。根据功耗P=U*I，可以推得最大电流I=Pz/Uz。如果电流超过此值，功耗就会超出而过热烧毁。
N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...
1、不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。
2、栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。
3、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
三极管,二极管电流公式
1、三极管基极电流Ib=(Vcc-Ubeq)/Rb，其中Ubeq为基极导通压降，硅管约为0.7V 三极管小信号模型基射电阻rbe=rbb‘+β*Ut/Icq，其中rbb’为基极电阻，约为150~200Ω，Ut常温下约为26mV，Icq为集极静态电流。
2、二极管半波和桥式整流时承受的最大反向电压＝交流的4倍。二极管全波整流时承受的最大反向电压＝交流的8倍。三极管集电极电流＝基极电流X放大倍数。
3、最简单的电压基准，就是稳压二极管，利用稳压二极管和一只三极管，可以搭建一个更简易的恒流源。
5题,求二极管中的电流Id
1、二极管D 侧电压-6V ，且导通电压0.7，故10KΩ对地电压是-3V。也就是20KΩ两端电压是10V+3V，流过的电流是13/20KΩ=0.765mA. 同理10KΩ两端电压是3V，流过的电流是3/10KΩ=0.53mA。
2、D2 D3在半个周期内同时导通（此时DD4截止），DD4在另半个周期内同时导通（此时DD3截止）。
3、V电源和R实际是二极管D的偏置电路，使其静态工作点处在其伏安特性的直线段，完全可以把D看着是三极管的be结。
4、cp12是小电流的硅二极管，导通后正向电阻很小，但二极管两端有0.7伏电压降。所以在求并联电阻时可不考虑二极管的导通电阻，然后用分压公式求出A点电位、再减去二极管两端电压0.7伏，得到R3两端电压，欧姆定理求出ID电流。
5、通过分析可知，二极管左端电压低于右端电压（假设二极管不导通时，左端电压为5V，右端电压为5V），因此二极管导通 。故可按照节点电压法解题（将二极管视为通路即可）。
6、看第二个图，如果流过二极管的电流是Id，二极管阳极电位是Ud，那么，根据基尔霍夫定律，对于阳极节点有：(10-Ud)/30 = Id+(Ud+10)/10；因为二极管是理想的，所以二极管阴极电位也是Ud。