本文目录一览：
- 1、硅二极管的导通电压是多少?
- 2、一个硅二极管可以产生多少电压降?
- 3、一个硅二极管反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为
- 4、二极管的原材料和基本功能
- 5、硅二极管温度传感器
- 6、锗二极管与硅二极管的区别有哪些?
硅二极管的导通电压是多少?
硅材料二极管：导通电压约0.5~0.7v。
硅二极管：导通电压约为0.5~0.7v，二极管是电流的单向门。
硅二极管导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。
硅二极管的话，导通电压为0.7V，锗二极管，导通电压为0.3V。如果是硅管，则如果二极管导通的话，两端电压是0.7V。
请注意二极管的正向特性，硅二极管的导通电压一般是0.7V，而不是0.5V，所以，DC0.5V的电源电压不能使二极管完全导通，最多是微导通。
正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。
一个硅二极管可以产生多少电压降?
约0，7V。常见的硅二极管在电流为1mA时，正向压降约为0，7V。由于二极管的特性导致的，在正向工作时，会产生一个固定的电压降。在实际应用中会有变化但都接近于0，7V。
硅二极管的正向压降是0.5-0.7V左右，视不同型号压降稍有差异。发光二极管（LED）的正向压降因型号不同差别较大。大致情况是：作为指示灯的LED多在7-9V，作为照明用的LED多为9-4V左右。
硅二极管的起始导通电压通常是0.6~0.7V，但其伏安特性曲线并不是完全与Y轴平行的，而是有一个向右倾斜的斜率（如图），即是说正向压降会随工作电流增大而增大。
在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。小电流硅二极管的正向压降，在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。
一个硅二极管反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为
1、不对；二极管最高反向工作电压是一个极限工作参数，工作在这个电压下，二极管不一定击穿，但厂家手册理会警告，不要长时间工作在此电压下，否则不保证产品性能。
2、最高反向工作电压U是二极管工作时允许外加的最大反向电压，超过此值时，二极管有可能因为反向击穿而损坏，通常为击穿电压的一半，注意它是一个瞬时值。
3、反向击穿电压VBR指二极管反向击穿时的电压值。击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保二极管安全运行。
4、最高反向工作电压Udrm：加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。
二极管的原材料和基本功能
二极管是由半导体做成的器件-二极管的材料基本是硅或锗，具有单向导电性，由于这一特性，二极管在我们的日常生活中很常见，如开关等，二极管具备整流、限幅、调节压值以及保护功能。
二极管是由半导体材料（硅、硒、锗等）制成的。二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。
在电子元件当中，二极管是一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。
二极管一般是有半导体材料硅、锗等在参入一些杂质元素制成的，具有单向导电性。而电阻则可以双向导通，属于耗能元件。二极管是一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。
硅二极管温度传感器
相同。二极管温度传感器的工作原理是基于集成温度传感器关系，即二极管的电压随着温度的变化而变化，采用硅半导体集成工艺而制成，因此二极管温度传感器和集成温度传感器的工作原理相同。
通过pn结实验验证了用二极管PN结的温度特性做常规范围内的温度传感器，其灵敏度相对误差，标准差，线性误差等各种误差都在7%左右，而且温度灵敏度系数S较大，都在-3mV左右，二极管PN结的离散型、可重复性、可逆性。
因为对通常的硅二级管来说，在温度-50摄氏度~150摄氏度的范围内杂质全部电离，本征激发可以忽略的温度区，如果温度低于或高于上述范围时，由于杂质电离因子减小或本证载流子迅速增加，VF--T关系将产生新的非线性。
一般可以直接采用二极管(如玻璃封装的开关二极管1N)或采用硅三极管(可将集电极和基极短接)接成二极管来做PN结温度传感器。这种传感器有较好的线性，尺寸小，其热时间常数为0.2-2秒，灵敏度高。
半导体pn结可以做温度传感器，主要是因为pn结的电阻会随着温度的升高而增大，因此可以用来测量温度。具体来说，当温度升高时，半导体pn结的电阻会增大，电流会减小，从而产生一个电压差，这个电压差就可以用来测量温度。
锗二极管与硅二极管的区别有哪些?
1、锗管：锗二极管的导通电压较低，一般在0.2-0.3伏特之间。锗管的反向漏电流大，尤其是在高温环境下，锗管的稳压性能和硅管相比要差一些。
2、导通电压不一样，普通锗管导通电压0.3V左右，普通硅管导通电压0.6V左右。
3、硅和锗两种二极管的特性曲线，两者有以下几点差异：1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。
4、在相同电流下，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。硅管的交流电阻小于锗管。电流不同：在反向电压下，硅管的漏电流远小于锗管。开启后，锗管电流增加缓慢而硅管电流增加较快，硅二极管的反向电流远小于锗二极管。