低IR二极管（二极管ir参数）

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IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。

IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

反向击穿电压 VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。正向反向峰值电压 VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。

低IR二极管（二极管ir参数）

1、整流：肖特基二极管可以用于将交流电转换为直流电，这是最常见的应用之一。续流：在电感等感性负载中，当电流突然中断时，会产生很高的反向电压，会损坏其他元件。

2、肖特基二极管是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路。高频、低压、大电流肖特基二极管作为高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用。

3、肖特基二极管存在的问题是耐压比较低，反向漏电流比较大。目前应用在功率变换电路中的肖特基二极管的大体水平是耐压在150V以下，平均电流在100A以下，反向恢复时间在10～40ns。肖特基二极管应用在高频低压电路中，是比较理想的。

1、二极管1N5822（不是i）是典型的肖特基二极管，具有正向导通电压低（0.52V），反向击穿电压高（40V)，反向击穿电流大（3A），多用于限流及保护电路。

2、N5822 是肖特基整流二级管，主要参数：正向电流：3A 反向耐压：40V 正向压降：小于等于0.55V 反向漏电流：小于等于500UA.可用MBR340P、NTE58PK4VSK340、11DQ031DQ04或者 SR304来代换。

3、最显著的特点是它拥有极低的正向压降，典型值在0.2到0.5伏特之间，这使得它在节能应用中表现得尤为出色，能够有效保护敏感电路并降低功耗/。

4、N5822是典型的肖特基二极管，具有正向导通电压低（0.52V），反向击穿电压高（40V)，反向击穿电流大（3A），多用于限流及保护电路，小于等于0.55V 反向漏电流：小于等于500UA 封装：DO-201AD 是比较常用的整流器件。

1、肖特基二极管参数主要参考三个，分别为：导通压降，反向饱和漏电流，额定电流导通压降VF：VF为二极管正向导通时二极管两端的压降，当通过二极管的电流越大，VF越大；当二极管温度越高时，VF越小。

2、导通压降VF：VF为二极管正向导通时二极管两端的压降，当通过二极管的电流越大，VF越大；当二极管温度越高时，VF越小。

3、肖特基二极管主要参数有工作电压VR、正向电流IF、反向电流IR以及正向电压值VFM。正向压降VFM是指二极管正向导通，正向电流为额定正向工作电流IAV时二极管两端的电压。

IR是指漏电流。 IF是二极管的型也就是安培数。 R是二极管的最大流通电流。

IR在发光二极管领域代表的是反射电流的意思。

最大交流电压VI在整流电路中扮演重要角色，要考虑负载下的正弦交流电的影响。最大功率P则反映了功率损耗与温度管理的平衡，特别是在稳压二极管中，这一点尤为关键。

扩散运动减弱，漂移运动增强，漂移大于扩散，形成反向电流IR。由于漂移运动是由少子形成，数量很少，所以IR很小，可以忽略不计，但IR受温度影响较大。结电压近似等于电源电压，显示反向电阻很大，称为反向截止。

导通压降VF：VF为二极管正向导通时二极管两端的压降，选择肖特基二极管是尽量选择VF较小的二极管。

要根据开关电源中输出电压Vo，电流Io，散热情况，负载情况，安装要求，所要求的温升等确定所要选用的肖特基二极管种类。在一般的设计中，我们要留出一定的余量。比如，VR只用到其额定值的80%以下，IF用到其额定值的40%以下。

肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大。

反向饱和漏电流IR IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，肖特基二极管反向漏电流较大，选择肖特基二极管是尽量选择IR较小的二极管。额定电流IF 指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。