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硅二极管的反向击穿电压是多少?若二极管被击穿,其两端的电压是如何改...
1、二极管反向击穿电压一般是工作电压2-3倍。二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VBWM一般是VBR的一半。
2、实际二极管：硅二极管的死区电压为0.5V，正向压降为0.6~0.7V 锗二极管的死区电压约0.1V，正向压降为0.2~0.3V 反向击穿电压，二极管反向击穿时的电压值。二极管反向击穿时的电压值。
3、二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。二极管的反向击穿 齐纳击穿 反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。
4、就是能够使二极管正常工作的最低正向电压。二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。
5、②反向击穿(你问的可能是这个)：是当反向电压超过了二极管的耐压而产生的破坏现象。如果限流电阻较大，是不会击穿的，反之，电流过大，将二极管的结烧断了，就叫做击穿。
6、逐渐增加兆欧表的电压，二极管被击穿时，电压不会继续升高的，这时万能表指示的电压就是二极管的反向耐压。一般只有几十伏。测量时，因为兆欧表的电流很小的缘故，不用担心二极管损坏，标准测试电流为20MA。
硅二极管怎么判断好坏
辨别出二极管的正负极，有白线的一端为负极，另一端为正极。将万用表上的旋钮拨到通断档位，并将红黑表笔插在万用表的正确位置。将红表笔接二极管正极，黑表笔接负极。
．单负导电性能的检测及好坏的判断 ：硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
二极管怎么测量好坏的办法有：使用一个同向二极管来测试、示波器来测试、使用万用表来测试、根据它的电阻判断、使用晶体管直流参数测试表。使用一个同向二极管来测试 同向二极管与正在测试的二极管相同，将它们保持互相连通。
例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。
用两只表笔接触二极管正反两边，会出现下列几种种情况，a：一种是一边导通（2k左右），一边不通（接近无穷大），此种情况说明二极管是好的。
如图,二极管为硅管时,通过二极管的电流为多少毫安,若为锗管时,电流又...
） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。
硅二极管反向电流远小于锗二极管反向电流，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下的ni比硅的ni高约三个数量级，因此在相同掺杂浓度下的少数硅浓度远低于少数铌的浓度，因此硅的反向饱和电流管非常小。
．正向导通时，管子的正向压降很少，一般情况下，硅管约为0.7V，锗管约为0.3V左右。4．硅二极管与锗二极管的主要区别在于：锗管的正向电流比硅管上升得快，正向压降较小。