电容的性能（电容的性能参数）

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1、电容，即电容器的特性有三点，如下所示：它具有充放电特性和阻止直流电流通过，允许交流电流通过的能力。在充电和放电过程中，两极板上的电荷有积累过程，也即电压有建立过程，因此，电容器上的电压不能突变。

2、频率特性随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。当电容工作在谐振频率以下时，表现为容性；当超过其谐振频率时，表现为感性，此时就不是一个电容而是一个电感了。所以一定要避免电容工作于谐振频率以上。

3、电容的特性有4个，主要是充电、放电、隔直、通交。电容的特性有4个，主要是充电、放电、隔直、通交；电容是指容纳电场的能力。

4、特点：容量大，能耐受大的脉动电流。容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用，不宜使用在25kHz以上频率。作用：低频旁路、信号耦合、电源滤波。钽电解电容器用烧结的钽块作正极，电解质使用固体二氧化锰。

5、频率特性随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。02绝缘电阻电容器的基本特性之一是绝缘电阻，理想的电容器应没有电流流过电容器，但实际存在微小的漏电流。

6、说电容的四个主要特性：充电、放电、隔直、通交；当电容器的两个极板之间加上电压时，电容器就会储存电荷。电容器的电容量在数值上等于一个导电极板上的电荷量与两个极板之间的电压之比。

1、电容量电解电容器的容值，取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗，随着工作频率、温度、电压以及测量方法的变化，容值会随之变化。

2、铝电解电容器的基本参数主要有电压、电容量、最高工作温度及寿命、漏电流和损耗因数，有的铝电解电容器，如开关电源输出滤波用钽电容的铝电解电容器还有额定纹波电流、ESR等参数。

3、电解电容主要参数铝电解电容器标志的内容一般包括标称电容量、额定电压、引出端极性(极性电容器)使用温度范围或上限类别温度、电容量允许偏差、商标和系列。有条件的要标出制造日期 1 漏电流即介质漏电流和外表漏电流。

4、电解电容的技术参数等效串联电阻ESR ESR的高低，与电容器的容量、电压、频率及温度…都有关，ESR要求越低越好。当额定电压固定时，容量愈大 ESR愈低。当容量固定时，选用高额定电压的品种可以降低 ESR。

1、电容器的基本特性之一是绝缘电阻，理想的电容器应没有电流流过电容器，但实际存在微小的漏电流。漏电流与漏电电流之比称为绝缘电阻，它随着温度、湿度、时间的变化而变化。

2、电容的性质是：滤波、蓄能、耦合、旁路等。电容其他的性质：电容在并联的时候，是容值相加，串联的时候，是容值倒数相加。电阻复阻抗是阻值本身，电容复阻抗是容值和工作频率乘积的倒数。

3、说电容的四个主要特性：充电、放电、隔直、通交；当电容器的两个极板之间加上电压时，电容器就会储存电荷。电容器的电容量在数值上等于一个导电极板上的电荷量与两个极板之间的电压之比。

4、电容的特性有4个，主要是充电、放电、隔直、通交。电容的特性有4个，主要是充电、放电、隔直、通交；电容是指容纳电场的能力。

5、电容特性如下：说电容的四个主要特性：充电、放电、隔直、通交；当电容器的两个极板之间加上电压时，电容器就会储存电荷。电容器的电容量在数值上等于一个导电极板上的电荷量与两个极板之间的电压之比。

电容的性能（电容的性能参数）

电容器的基本特性之一就是额定电压，指的是在一定的温度范围内，能够连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值。电容器上所标明的额定电压是为了保证电容器的正常运行和性能稳定。

电容的性质是：滤波、蓄能、耦合、旁路等。电容其他的性质：电容在并联的时候，是容值相加，串联的时候，是容值倒数相加。电阻复阻抗是阻值本身，电容复阻抗是容值和工作频率乘积的倒数。

电容，即电容器的特性有三点，如下所示：它具有充放电特性和阻止直流电流通过，允许交流电流通过的能力。在充电和放电过程中，两极板上的电荷有积累过程，也即电压有建立过程，因此，电容器上的电压不能突变。

(1)容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。在有些情况下，还有0级，误差为±20%。

电容的特性包括以下几个方面：充电和放电：电容本质上是一个存储电荷的器件，当电容两端加上电压时，它会存储电荷；当电压被移除或降低时，电容会释放电荷。

说电容的四个主要特性：充电、放电、隔直、通交；当电容器的两个极板之间加上电压时，电容器就会储存电荷。电容器的电容量在数值上等于一个导电极板上的电荷量与两个极板之间的电压之比。

1、片式电解电容器属于电解电容器中的高档产品。它是以高分子聚合物为电解质的铝电解电容器，性能优良，耐高压、高温，可以承波峰焊和再流焊，电容量大，等效串联电阻低。

2、目前在便携产品中广泛套用的片式多层陶瓷电容器(MLCC)材料根据温度特性，主要可分为两大类：BME化的C0G产品和LOW ESR选材的X7R(X5R)产品。

3、在125deg.c环境温度和5Ur直流负载条件下，芯片应本领100小时不击穿，质量好的可耐1000小时不击穿。