本文目录一览：
怎么测MOS管的寄生电容
具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的)，如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。对于N沟道MOS场效应管充电时，红表笔应接管子的G极，黑表笔接管子的S极。
实际上MOS结构的C-V曲线测量可以分三种情况讨论，第一种就是只加直流电压信号，且电压的改变速率较小，反应在测量中就是步长较小；第二种就是在第一种所加的直流电压信号上叠加小信号的交流电压；第三种是在第二种情况下加快直流电压信号的改变速率，也就是增大电压改变的步长。
(1)、根据供电电压为士Vdd测量MOS管栅极氧化层的电容值Cox ； (2)、 根据电容值Cox计算MOS管栅极氧化层的积累厚度。其中NMOS管为+Vdd，PMOS管为-Vdd。
mos的g极串联一个电容可以导通吗
1、mos的g极串联一个电容可以导通吗MOS管接入电路，也会有引线产生的寄生电感的存在，与寄生电容一起，形成LC振荡电路。对于开关方波波形，是有很多频率成分存在的，那么很可能与谐振频率相同或者相近，形成串联谐振电路。
2、mos管如果G端悬空的话，会使mos管导通，造成mos管因电流过大而烧毁，加电阻的作用是拉地电阻，起到限流的作用，防止其悬空导通烧毁！MOS管是一个ESD敏感元件，本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以很容易受外界或者静电影响而带电，容易引起静电击穿。
3、你说的那个电容并不能改善米勒效应，但却可以改善米勒震荡，不知道你是不是就指这个意思。想想也简单，电容对于震荡是有吸收作用的。
4、差生电势差，而gs之间的门槛电压是很低的，容易导通，继而ds也导通。本来信号撤离，需要ds关断，现在是导通，工作紊乱容易损坏mos管。g级前串进来的电阻，对驱动电阻有影响。gs之间可以等效为一个电容，即驱动给串联的RC充电，R越大，充电越慢。建议看下mos管的驱动过程，了解米勒平台等等。
5、当栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。
6、所以栅极和衬底之间相当于存在一个电容。当G加上电压后就会给这个电容充电，当G上的电压撤掉后若G悬空电容的电荷是不能马上放掉的，实际上G极的电压仍然存在一段时间，所以不会马上截止。实际使用时当要求管子截止时必须要在GS之间建立泄放回路（比如直接短路或通过电阻放电）才可以。
什么是寄生电容
寄生电容（parasitic capacitance），也称为杂散电容，是电路中电子元件之间或电路模块之间，由于相互靠近所形成的电容，寄生电容是寄生元件，多半是不可避免的，同时经常是设计时不希望得到的电容特性。寄生电容常常也会造成杂散振荡。
寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。
电容和电感，如同高中物理中的质点，它们不过是能量存储的不同方式，电容通过电场储存能量，电感则是通过磁场。理解这些基本原理，能帮助我们更好地解读电路的行为。电容的本质并非仅限于两极板间的电磁耦合，任何两个导体之间，甚至同一导体内部的不同点，都会形成电容。
寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串联，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。
寄生电容 在学术文献中的解释另一方面传感器除有极板间电容外，极板与周围体（各种元件甚至人体）也产生电容联系，这种电容称为寄生电容。它不但改变了电容传感器的电容量，而且由于传感器本身电容量很小，寄生电容极不稳定，这也导致传感器特性不稳定，对传感器产生严重干扰。
为传递一种频率而设置的电容；即当频率高于一个值时就传递过去，否则就传递中断；旁路电容：当工作频率在传递过程中，因为周边有杂波干扰而影响正常工作，所以设置旁路电容，以滤除杂波；寄生电容：两平行导体之间产生的电容；晶体管电容：晶体管PN结之间由于电位差而产生的电容，这种电容是无益的。
