本文目录一览:
- 1、什么是结电容作用
- 2、什么是三极管的结电容和电路的杂散电容
- 3、什么是pn结势垒电容
- 4、什么叫结电容?
- 5、PN结的结电容由什么组成?
什么是结电容作用
1、就是二极管PN结之间的电容对二极管性能的影响。二极管的PN结之间是存在电容的,而电容是能够通过交流电的。由于结电容通常很小,当加在二极管PN结之间的交流电频率较低时,通过PN结的电流由PN结的特性决定——只允许单向电流通过。
2、晶体管结电容是指晶体管内部电极之间存在的PN结电容和电极引线间的电容。杂散电容是指构成电路的导线之间﹑元器件之间存在的分布电容。结电容和杂散电容都对器件和电路的工作存在影响,尤其是高频电路,影响更大。
3、比如对于共射放大电路,你把Cbe等效到B和E之间,对于高频的Vin(500MHz),这个Cbe足以把输入信号旁路到地了!但对于低频(500Hz)信号,Cbe要几个uF才可以有旁路作用。
4、结电容就相当于并联在两个结的一个电容,是由于pn结的面积形成的一个电容。在积累空间电荷的势垒区,当PN结外加电压变化时,引起积累在势垒区的空间电荷的变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。
什么是三极管的结电容和电路的杂散电容
1、晶体管结电容是指晶体管内部极与极之间存在的容抗特性;电路杂散电容是指电路布线之间﹑元器件之间存在的分布电容。结电容和杂散电容都对器件和电路工作有影响,需要尽量减少。
2、具体来说,耦合电容是指连接放大电路中两个级之间的电容,它会对信号的低频响应产生影响,从而影响放大电路的下限截止频率。而三极管结电容则是指三极管本身的 pn 结电容,它会对信号的高频响应产生影响,从而影响放大电路的上限截止频率。
3、三极管有两个PN结,集电极和基极之间的电容就是集电结电容。这个电容是由半导体三极管内部结构所固有的。它的存在,在外电路来看就是跨接在集电极和基极之间。对一个共发射极电路来说,它是接在输入端和输出端之间的。
4、据我所知,结电容(无论势垒电容,还是扩散电容)的大小,与三个因素有关:1)结面积。2)结厚度。3)结偏压。其中,结偏压直接影响结厚度。所以,结电容的大小,基本上与信号频率高低无关。但是,这仅仅是我的理解而已,不一定正确。
什么是pn结势垒电容
结电容就相当于并联在两个结的一个电容,是由于pn结的面积形成的一个电容。在积累空间电荷的势垒区,当PN结外加电压变化时,引起积累在势垒区的空间电荷的变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。
空间电荷区形成的电容效应。PN结势垒电容是一种重要的电容器件,其工作原理是基于PN结的空间电荷区形成的电容效应。当PN结两端加上电压后,空间电荷区会形成,从而产生电容效应,这就是PN结势垒电容。
PN结交界处存在势垒区,结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应。
势垒电容CB和扩散电容CD均是非线性电容,值一般都很小,它们之和称为PN结的结电容,记为CJ 二极管正向导电时,电子扩散到对方区域后,在PN结边界上积累,并有一定的浓度分布。
扩散电容PN结势垒电容主要研究的是多子,是由多子数量的变化引起电容的变化。而扩散电容研究的是少子。在PN结反向偏置时,少子数量很少,电容效应很少,也就可以不考虑了。在正向偏置时,P区中的电子,N区中的空穴,会伴着远离势垒区,数量逐渐减少。
什么叫结电容?
晶体管结电容是指晶体管内部电极之间存在的PN结电容和电极引线间的电容。杂散电容是指构成电路的导线之间﹑元器件之间存在的分布电容。结电容和杂散电容都对器件和电路的工作存在影响,尤其是高频电路,影响更大。
pn结电容 PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容。 PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应。
结电容就相当于并联在两个结的一个电容,是由于pn结的面积形成的一个电容。在积累空间电荷的势垒区,当PN结外加电压变化时,引起积累在势垒区的空间电荷的变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。
结电容主要由PN结(一块半导体晶体一侧掺杂成P型半导体,另一侧掺杂成N型半导体,中间二者相连的接触面)的势垒电容和扩散电容组成。势垒电容是由空间电荷区两侧异号电荷所构成的电容。扩散电容主要研究的是少子,即在PN结反向偏置时,少子数量很少,电容效应很少。
晶体管结电容是指晶体管内部极与极之间存在的容抗特性;电路杂散电容是指电路布线之间﹑元器件之间存在的分布电容。结电容和杂散电容都对器件和电路工作有影响,需要尽量减少。
PN结的结电容由什么组成?
结电容主要由PN结(一块半导体晶体一侧掺杂成P型半导体,另一侧掺杂成N型半导体,中间二者相连的接触面)的势垒电容和扩散电容组成。势垒电容是由空间电荷区两侧异号电荷所构成的电容。扩散电容主要研究的是少子,即在PN结反向偏置时,少子数量很少,电容效应很少。
揭秘pn结电容的秘密:势垒电容与扩散电容的并行与区别二极管的核心特性之一,便是其独特的结电容(CJ),它其实是由两个关键部分——扩散电容(Cd)和势垒电容(Cb)组成的非线性组合。当我们谈论二极管的结电容时,资料中通常指的是势垒电容,但别忘了,扩散电容在实际应用中同样举足轻重。
三极管有两个PN结,集电极和基极之间的电容就是集电结电容。这个电容是由半导体三极管内部结构所固有的。它的存在,在外电路来看就是跨接在集电极和基极之间。对一个共发射极电路来说,它是接在输入端和输出端之间的。
其结电容由势垒电容组成,Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。二极管,英语:Diode,电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。
两个靠近的金属板就会形成一个电容,二极管的PN结的两个极板也会形成电容,叫结电容。虽然二极管的金属板的面积极小,似乎电容极小,但由于pn结的势垒层极薄,所以两个极板的距离极小,所以实际电容也有几P到几十P。此电容还与二极管上的电压有关,当反向电压越高,势垒层越厚,结电容就越小。