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光照半导体(光照半导体会产生两种方向不同的电流吗)

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有的半导体在受到光照时电阻会减小,利用半导体的这种特性制成的元件称...

1、利用半导体的热敏特性,可以制作感温元件——热敏电阻,用于温度测量和控制系统中。值得注意的是,各种半导体器件都因存在着热敏特性,在环境温度变化时影响其工作的稳定性。光敏特性 半导体的电阻率对光的变化十分敏感。有光照时、电阻率很小;无光照时,电阻率很大。

2、. 当环境温度升高一些时,半导体的导电能力就显著地增加;当环境温度下降一些时,半导体的导电能力就显著地下降。这种特性称为“热敏”,热敏电阻就是利用半导体的这种特性制成的。

3、特性:光敏电阻器是利用半导体光电导效应制成的一种特殊电阻器,对光线十分敏感,它的电阻值能随着外界光照强弱(明暗)变化而变化。它在无光照射时,呈高阻状态;当有光照射时,其电阻值迅速减小。

4、随着温度的升高,半导体中参加导电的载流子数目就会增多,故半导体导电率就增加,它的电阻率也就降低了。 热敏电阻器正是利用半导体的电阻值随温度显著变化这一特性制成的热敏元件。它是由某些金属氧化物按不同的配方制成的。在一定的温度范围内,根据测量热敏电阻阻值的变化,便可知被测介质的温度变化。

5、光敏电阻是采用半导体材料制作,利用内光电效应工作的光电元件。它在光线的作用下其阻值往往变小,这种现象称为光导效应,因此,光敏电阻又称光导管。所以用的半导体,而常见的半导体就是单晶硅 半导体光敏元件是基于半导体光电效应的光电转换传感器,又称光电敏感器。

6、光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器,又称为光电导探测器;入射光强,电阻减小,入射光弱,电阻增大。还有另一种入射光弱,电阻减小,入射光强,电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换(将光的变化转换为电的变化)。

光强影响半导体能带

1、半导体材料在光照下的导电能力会受到显著的影响,主要原因在于光照可以激发半导体中的电子,使其从价带跃迁到导带,从而形成自由电子,增加材料的导电性。半导体材料是一种具有特殊能带结构的物质,其原子或分子结构使得其能带间隙较小,介于绝缘体和导体之间。

2、在PN结中,光子能量大于半导体禁带宽度时,会激发价带中的电子跃迁到导带,形成自由电子-空穴对(即光生载流子)。这些光生载流子在电场的作用下,会分别向N区和P区扩散,形成反向电流。因此,光强强度越大,产生的光生载流子越多,反向电流也就越大。

3、光强太高会有非线性效应出现,产生饱和。不同的半导体光电效应是有一定的频率范围的,不是任意频率的光都有响应。

4、在光的频率大于半导体材料的截止频率的前提下:光电子的最大初动能随着入射光的频率的增大而增大。光电流的饱和值与入射光的强度成正比。

5、催化剂缺陷。缺陷对半导体材料的电子结构、光吸收性能、表面吸附性能等都有影响。缺陷会在半导体能带中引入新的能级,从而增强对光的吸收能力;可以增强对H2O和OCO2等的吸附,可以生成更多的活性自由基或者将CO2还原;除此之外,缺陷可以作为电子捕获中心,有利于电子空穴对的分离。pH。

在光的照射下,半导体为什么会产生电流?

1、半导体材料在光照下的导电能力会受到显著的影响,主要原因在于光照可以激发半导体中的电子,使其从价带跃迁到导带,从而形成自由电子,增加材料的导电性。半导体材料是一种具有特殊能带结构的物质,其原子或分子结构使得其能带间隙较小,介于绝缘体和导体之间。

2、当光线照射半导体表面时,一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子,使电子发生了越迁,成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差,当外部接通电路时,在该电压的作用下,将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的实质是:光子能量转换成电能的过程。这个原理多应用于太阳能电池里。

3、光生伏特效应是指半导体在受到光照射时产生电动势的现象。产生原理 光生伏特效应的本质是由于半导体材料受到光照射后,能量大于禁带宽度的光子能够把价带中的电子激发到导带,使得导带中存在自由电子,价带中存在自由空穴,即产生一对自由电子和空穴。

4、所谓光生伏打效应就是当物体受光照时,物体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。当太阳光或其他光照射半导体的 PN 结时,就会在 PN 结的两边出现电压 , 叫做光生电压。这种现象就是著名的光生伏打效应。使 PN 结短路,就会产生电流。

5、当阳光照射在半导体材料上时,材料吸收光能并产生电子和空穴。这些电子和空穴在半导体内部电场的作用下,分别向相反方向移动,形成光电流。在pn结上,由于空间电荷区的存在,会产生一个内建电势,这个内建电势的方向与光电流的方向相反,会抑制光电流的产生。当光照在pn结上时,光能被吸收并转化为电能。

光照为什么会使半导体出现非平衡状态

1、非平衡是相对于平衡而言的,所谓非平衡,是指在外界条件,如光照、温度等条件下,其状态偏离平衡态。在光照下,光照产生非平衡载流子;即使稳定不变的光照,仍产生非平衡载流子,虽然稳定光照下载流子产生率与复合率相等,但是此时体内的电子空穴水平已经偏离了平衡态。

2、光照影响:可产生非平衡载流子,导致光电导。压力影响:压阻效应。接触影响:形成pn结、金属-半导体接触等。电场影响:可产生场致发射等。磁场影响:半导体的Hall效应远大于金属。气氛影响:表面状态与气氛有很大关系。

3、非平衡载流子 是指半导体收到外界条件的影响,例如光照或是加热,破坏了热平衡条件,迫使它处于与平衡状态偏离的状态,称为非平衡状态。对于平衡态的半导体,在一定温度下,载流子的浓度是一定的,对于非平衡状态,会有多余的载流子产生。准费米能级与电子的填充能级情况有关。

用光照射半导体对半导体的导电性有什么影响?为什么?

光照对半导体导电性的影响还与温度有关。在高温下,热激发也会导致电子从价带跃迁到导带,从而增加半导体的导电性。因此,在具体实验或应用中,需要综合考虑光照、温度以及其他环境因素对半导体导电性的影响。

半导体材料吸收光子,产生了非平衡载流子(电子和空穴),增强了导电性。

您要问的是光强会影响半导体导电性能的原因吗?光致电子发射、光生电势差。根据查询豆丁官网显示:光致电子发射:当光线照射到半导体表面时,光子的能量吸收被激发电子脱离半导体表面形成电子云,产生电子空穴对,从而形成电流。