本文目录一览：
- 1、为什么半导体温度越高电阻率越小
- 2、1,半导体随着温度升高,其电阻率的变化如何?为什么?
- 3、半导体随温度电阻率逐渐变小,为什么?
- 4、半导体的电阻为什么随温度升高而降低
- 5、半导体和金属的电阻率与温度关系有何差别原因是什么
- 6、半导体电阻温度升高电阻降低吗
为什么半导体温度越高电阻率越小
半导体随着温度升高，其电阻率是变小的。因为半导体材料的分子一般排列的比较有序，才导致可以用半导体材料做成二极管，具有单向导电性。随着温度的升高，分子排列的无序性变大，导电性能变好。电阻率将会减小。
以硅为例，在一定的温度范围内，半导体的电阻率随温度的升高，而变小。因为半导体价带上的电子，随着温度的升高，不断地被激发到导带，使载流子的数量增加，其导电性得到不断加强，电阻率变小；当温度上升到一定高度，价带电子的激发到了极限，同时晶格的热振动加剧，对载流子的散射作用也增强。
从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。半导体的五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。
1,半导体随着温度升高,其电阻率的变化如何?为什么?
1、半导体电阻率与温度的关系：决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。在低温下：由于载流子浓度指数式增大(施主或受主杂质不断电离)，而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故)，所以这时电阻率随着温度的升高而下降。
2、对于杂质半导体：温度很低时，本征激发忽略，主要由杂质电离提供载流子，它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高增大，所以电阻率下降。温度继续升高，杂质全部电离，本征激发还不显著时，载流子基本不变，晶格振动是主要影响因素，迁移率随温度升高而降低，所以电阻率随温度升高而增大。
3、(A)不变 (B)增大 (C)减小 (D)不确定 半导体的电阻为什么随温度升高而降低 因为在一定温度下，半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。
4、具有负温度系数的半导体的电阻随温度升高电阻降低。半导体受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动 。
5、如果是纯半导体，则其电阻率随温度升高而单调下降（因为T升高，本征载流子浓度上升，电阻率下降）。如果是掺杂半导体，这个过程比较复杂，先下降，后上升，最后再下降。
6、电阻率应该是下降的，在温度升高的时候，半导体内部会激发更多的电子帮助导电，因此导电性能上升，电阻率下降。
半导体随温度电阻率逐渐变小,为什么?
半导体随着温度升高，其电阻率是变小的。因为半导体材料的分子一般排列的比较有序，才导致可以用半导体材料做成二极管，具有单向导电性。随着温度的升高，分子排列的无序性变大，导电性能变好。电阻率将会减小。
半导体导电是通过载流子进行的，载流子数量越多，导电性能越好，也就是电阻率越低。温度上升时，半导体电子热运动活动剧烈，能量增加，由价带顶跃迁到导带底所需要的外界能量降低（半导体载流子是由价带顶的空穴和导带底的电子确定的），所以半导体带隙降低，Eg降低。
半导体电阻率与温度的关系：决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。在低温下：由于载流子浓度指数式增大(施主或受主杂质不断电离)，而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故)，所以这时电阻率随着温度的升高而下降。
从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。半导体的五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。
对于本征半导体，本征激发起决定性因素，所以T升高，电阻下降；对于杂质半导体，在温度很低时，本征电离可忽略，T升高，杂质电离的载流子越来越多，电阻下降 进入室温区，杂质已经全部电离，而本征激发还不重要，T升高，晶格震动散射加剧，电阻升高。
半导体的电阻为什么随温度升高而降低
以硅为例，在一定的温度范围内，半导体的电阻率随温度的升高，而变小。因为半导体价带上的电子，随着温度的升高，不断地被激发到导带，使载流子的数量增加，其导电性得到不断加强，电阻率变小；当温度上升到一定高度，价带电子的激发到了极限，同时晶格的热振动加剧，对载流子的散射作用也增强。
半导体电阻率与温度的关系：决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。在低温下：由于载流子浓度指数式增大(施主或受主杂质不断电离)，而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故)，所以这时电阻率随着温度的升高而下降。
从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。半导体的五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。
半导体和金属的电阻率与温度关系有何差别原因是什么
主要区别是金属的电阻率随温度升高而增大。而半导体的电阻率在低温、室温和高温情况下，变化情况各不相同。
一般导体和半导体导电机理不同！ 半导体电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。室温时电阻率约在10E-5～E欧姆·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。
金属中的除自由电子外的原子实也在其位置附近振动，这种振动的剧烈程度与金属的温度有关，温度越高，振动越剧烈。同时自由电子与这种原子实之间的碰撞机会就越大，也就越阻碍电子的定向运动，也 就是电阻增大了 半导体 导电性能介于导体和绝缘体之间非离子性导电的物质。
金属的电阻率随温度升高而增大，那是因为电子运动受到分子杂乱无序运动的干扰所致，而半导体中参与导电载流子浓度随着温度上升而增加，所以电阻率下降。
金属中的除自由电子外的原子实也在其位置附近振动，温度越高，振动越剧烈。同时自由电子与这种原子实之间的碰撞机会就越大，如半导体二极管，晶格也越浑乱.对自由电子的阻碍越大，也不象绝缘体中的电子被原子核紧紧地束缚着。这就决定了它的导电性介于两者之间。
半导体电阻温度升高电阻降低吗
1、半导体随着温度升高，其电阻率是变小的。因为半导体材料的分子一般排列的比较有序，才导致可以用半导体材料做成二极管，具有单向导电性。随着温度的升高，分子排列的无序性变大，导电性能变好。电阻率将会减小。
2、电阻率应该是下降的，在温度升高的时候，半导体内部会激发更多的电子帮助导电，因此导电性能上升，电阻率下降。
3、半导体分类方法多种：本征半导体和杂质半导体，本征半导体是纯净半导体，杂质半导体是人为掺杂的半导体。杂质半导体有分为N型半导体（电子是多数载流子）和P型半导体（空穴是多数载流子）。按出来分主要有硅和锗这两种半导体。半导体随着温度上升，载流子浓度升高、导电能力增强，电阻减小。
4、对于本征半导体，本征激发起决定性因素，T升高时电阻下降；对于杂质半导体，在温度很低时，本征电离可忽略，T升高，杂质电离的载流子越来越多，电阻下降 进入室温区，杂质已经全部电离，而本征激发还不重要，T升高，晶格震动散射加剧，电阻升高。高温区，本征激发起主要作用，T升高，本征激发明显，电阻下降。
5、是的，大多数半导体热敏电阻的电阻值随温度升高而增加，呈正相关关系。这是因为随着温度升高，半导体中载流子的浓度会增加，导致电阻值增加。相比之下，金属电阻的电阻值通常随温度升高而减小，呈负相关关系。这是因为随着温度升高，金属中原子的热振动增强，导致电子的碰撞频率增加，电阻值减小。