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TVS跟压敏电阻有什么不同
压敏电阻具有非线性特性好，通流容量大等特点，响应时间比TVS二极管稍慢一下，压敏电阻的结电容一般在几百到几千pF的数量级范围，很多情况下不宜应用于高频信号线路的保护。压敏电阻主要用于交直流电源、低频信号电路，带馈电的天馈线路。TVS二极管也是一种限压保护器件，作用和压敏电阻类似。
TVS管的非线性特性比压敏电阻好，当通过TVS管的过电流增大时，TVS管的钳位电压上升速度比压敏电阻慢，因此可以获得比压敏电阻更理想的残压输出。在很多需要精细保护的电子电路中，应用TVS管是比较好的选择。
TVS管和压敏电阻均为浪涌过电压保护器件。主要区别是响应速度、通流容量、寄生电容不同。一般电子系统的浪涌防护需要分级保护，压敏电阻多用于前级粗保护，TVS管多应用于次级的精细保护。如电源端口防护。
半导体二极管的文字符号VD中V是哪个英文单词的缩写?
1、二极管英文：diode。二极管 二极管（英语：Diode）是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件，是世界上第一种半导体器件，具有单向导电性能、整流功能。二极管的种类繁多，主要应用于电子电路和工业产品。
2、diode意思是二极管，是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 。它具有单向导电性能， 即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。 当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。 因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开 。
3、电路中的二极管VDC用来保护驱动三级管VT1。这种保护电路在继电器驱动和电磁铁吸铁电路中有广泛的应用。稳压值调节电路图 如果稳压二极管的稳压值不能满足使用要求时，可以用普通二极管进行稳压值调节，在电路中的VD2是稳压二极管，VD1则是普通二极管，VD1能增加直流电压0.6V。
4、二极管符号如下：二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能， 即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。 因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。
半导体的特性曲线
1、半导体二极管正向伏安特性曲线的在正向电压作用下，二极管开始导通，随着电压的增加，电流迅速上升，呈现出指数增长的趋势。当电压达到一定值时，电流的增长速度放缓，并逐渐趋于饱和。这个过程可以通过正向伏安特性曲线来描述。首先，当正向电压施加在二极管上时，它开始导通。
2、半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。用实验的方法，在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压，同时测量流过二极管的电流值，就可得到二极管的伏一安特性曲线。该曲线是非线性的，如图1-13所示。正向特性和反向特性的特点如下。
3、半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。用实验的方法，在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压，同时测量流过二极管的电流值，就可得到二极管的伏一安特性曲线。
半导体cd大小与电流的关系
由于半导体的阻值是非线性的，而且与流过的电流、pn结的温度都有关系，正向电压与电流的变化、反向电压与电流的变化在各段也是不一样的，在导通和不导通的各段伏安曲线也不是一样的，不能一概而论，应该区别对待，不同工作点的电阻也是随着电压、电流非线性地变化，并非是 一种规律。
伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：正向特性：u0的部分称为正向特性。反向特性：u0的部分称为反向特性。反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。
直流电阻是二极管工作时，二极管两端的电压和流过它的电流之比。Rd=Ud/Id.交流电阻是二极管工作时，二极管两端的电压变化量和流过它的电流变化量之比。rd=ΔUd/ΔId.“正向交流电阻”小于“正向直流电阻”。
q=CU I=d(q)/d(t)所以I=Cd(u)/d（t）也就是说，电流等于电容量乘以电压在时间上的微分。也就是说，电压变化的越快，电流就越大。为什么说电容是隔直通交？电容器的结构是两块极板，中间隔着一层绝缘体，所以，正常情况下电容器是不会有电流通过的（除非中间的绝缘被击穿）。
二极管中电流是正电荷移动还是自由电子移动?
电流都是以正电荷的运动方向为准，但是实际的运动电荷并不是正电荷，而是负电荷即电子。在pn结上加正向电压电流就从p流向n，电流较大。而pn结加反向电压，电流就从n流向p，电流很小。也就是说pn结的 正向电阻很小而反向电阻很大。
理解规律不能乱哈。单向导电性就是指按我们规定的电流方向来说，从其正极流入，负极流出时，其电阻很小（正向电阻小），而相反连接，电流通过时，其电阻很大。而这里所说的都是物理学中规定的电流方向，即正电荷定向移动的方向。
二极管的原理模型是一个PN节，电流的形成即是自由电子的移动形成的，因为自由电子带负电，因此规定自由电子移动的反方向为电流移动的正方向。
开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。在空间电荷区形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。