本文目录一览：
- 1、晶体管的rbe是什么?搞不懂啊,求大神指点。
- 2、薄膜晶体管电阻是多大
- 3、晶体管为什么可以看作可变电阻
- 4、晶体管等效电阻如何理解
- 5、怎样用万用表判断带阻晶体管的e、b、c极
- 6、晶体三极管发射结电阻如何计算?
晶体管的rbe是什么?搞不懂啊,求大神指点。
一般rbe，是晶体管接成共发射极方式，π形等效电路中，从基极看去过的基极—发射极交流电阻。
rbe是BJT晶体管的输入电阻，其定义是BJT输入特性曲线的斜率，即输入的发射结电压增量与基极电流增量的比值，脚码b代表基极，e代表发射极，rbe就代表基极到发射极之间的动态电阻。
rbe是晶体管的交流输入电阻，输入电阻是从放大电路输入端看进去的等效电阻。
三极管有三只脚二个PN结，B代表基极，E代表发射极，C代表集电极，有PNP型与NPN型二种类型三极管。依PN结原理首先测出基极，同时判断出是PNP型还是NPN型。
晶体管电路一般只有直流电阻，交流小信号经过电容后，最终表现出来的还是直流电阻。所以，rbe，rce，ri，ro其实都是直流电阻。其中，rbe是基射结电阻、rce是集射极间电阻、ri是输入电阻、ro是输出电阻。
所以当RB1和RB2对于Rbe足够小的时候（例如RB1和RB2并联后的电阻是Rbe的十分之一，阻值相差越大误差越小），这个时候，Rbe就可以忽略。
薄膜晶体管电阻是多大
1、PEDOT/PSS是一种高分子聚合物的水溶液，导电率很高，根据不同的配方，可以得到导电率不同的水溶液。制成的水溶液导电物主要应用于有机发光二极管 OLED， 有机太阳能电池，有机薄膜晶体管，超级电容器等的电子传输层。
2、电阻膜层厚度＜1μm的膜称为薄膜；厚度＞10μm的膜称为厚膜。
3、该下拉电阻的取值范围通常在1K到10K之间。晶体管下拉电阻的取值范围主要取决于电路的设计需求和电路的工作环境。一般来说，下拉电阻的取值范围在1K到10K之间，这个范围可以满足大部分电路的电流需求和阻抗匹配需求。下拉电阻的主要作用是为了防止电路的输入端浮空，避免产生不必要的干扰。
4、晶体管的输入电阻是工作电流的函数，不同的直流工作点数值各不相同。常温下 rbe=rbb+26mV（1+β）/Ie。
晶体管为什么可以看作可变电阻
1、调节Rp ，使 从零开始逐渐增加。当时，单结晶体管内的PN结处于反向偏置，E和B1之间不能导通，呈现很大的电阻，故单结晶体管处于截止状态。当 时，单结晶体管内的PN结便承受正向电压而导通，发射极电流突然增大。
2、可控硅绝大多数故障都是由于过压（电压过大）击穿导致的，你可以安装一个可控硅自动防护装置，这种防护装置包括由导电材料制成的弹簧体，它具有在中心附近折叠弯曲的接触面。可控硅置于接触面之间而端板处于与各接触面电相对的位置上。一个导板置于一个端板和一个接触面之间。
3、半可调电阻器是指电阻值虽然可以调节，但在使用时经常固定在某一阻值上的电阻器。这种电阻器一经装配，其阻值就固定在某一数值上，如晶体管应用电路中的偏流电阻。在电路中，如果需作偏置电流的调整，只要微调其阻值即可。
4、晶体管的输出电阻是动态电阻。输出电阻是晶体管放大电路的重要参量，其大小直接影响放大器带负载的能力，但它是由放大电路输出级的晶体管或MOS管的负载特性决定的。
5、看来似乎就是一个可调电阻，但是三极管是有源器件，具有放大输入信号的作用。当晶体管在电路中起电阻作用时，可以采用电阻来代替晶体管，但是一般情况下不可以。电路中若没有晶体管，那就没有了心脏，不能放大信号，也不能产生振荡信号，只能转换信号，完全是无源电路。
6、三极管 分为截止、 放大 饱和 三个状态 mos管 分为截止 线性 饱和区三个状态 mos管的线性区就是 可变电阻区，其阻抗与栅压成反比；mos管的饱和区是放大区，其电流电压曲线如三极管的放大区。
晶体管等效电阻如何理解
）正常工作的三极管，其发射极与集电极之间的电压差是可变；2）这个电压差值（当然是说绝对值）增大时，流经的电流就减小；电压差值减小时，流经的电流就增大。
rbe是晶体管的交流输入电阻，输入电阻是从放大电路输入端看进去的等效电阻。
一般rbe，是晶体管接成共发射极方式，π形等效电路中，从基极看去过的基极—发射极交流电阻。
输出电阻是一个“等效”电阻，并不是一个实实在在的电阻，但它是由放大电路输出级的晶体管或MOS管的负载特性决定的；类似电源的内阻，都是希望它越小越好。
V， 约等于2．6V。（3）单结晶体管的发射极与第一基极之间的电阻 是一个随发射极电流而变的电阻。在单结晶体管未导通时，发射极电流很小， 是一个高电阻。导通后，随着发射极电流的增大， 急剧下降。而 则是一个与发射极电流无关的电阻。所以，在单结晶体管的等效电路中， 用可变电阻表示。
微变等效电路的对象只对变化量。因此，NPN型管和PNP型管的等效电路完全相同。微变等效电路是在正确的Q点上得到的，如Q点设置错误，即Q点选在饱和区或截止区时，等效电路无意义。不能用微变等效电路求静态工作点。
怎样用万用表判断带阻晶体管的e、b、c极
1、测试时可用红表笔分别接l、3，黑表笔分别接3，3，l、2，然后记下电阻值。用MF47型万用表R×1 kΩ档测得的数据：红表笔接(1)脚，黑表笔接(2)脚得出的阻值为：红(1)、黑(2)∞。
2、判别集电极和发射极的方法是：NPN管：指针万能表的两支笔，分别接基极以外的两个脚，记住这时指针的位置，然后在黑笔与基极之间，再接上一个10-30K的电阻，此时指针会上升，交换两只脚，再测试一次，指针上升大的时候，黑笔接的就是集电极。
3、不知道三极管封装的情况下用指针式万用表一般都可以测出e，b，c脚。
晶体三极管发射结电阻如何计算?
1、首先确定你用的电源电压，比如15v，还有想要的集电极工作电流的范围，比如是0到10ma，这时候就可以确定集电极电阻和发射极电阻的总值了，即是：15v/10ma=1500欧姆。确定了总值，然后就是确定两个电阻分别是多少了。
2、所以，发射结电阻 Rbe = UT/Ibq = UT/(IEQ/(1+β)) = UT(1+β)/IEQ。这应该就是你需要的公式吧。
3、晶体管不是线性电阻，不同的测量条件有不同的数值，不能确定它的大小。如果落在放大区，电流倒是比较确定的，等于Ic=IbXβ，集电极与发射极之间的等效电阻R=Uce/Ic，可见电阻不是常量，它与电压Uce成正比。如果落在饱和区，电压倒是误差不大，在0.3V上下，电阻R=U/Ic，与电流成反比。
4、你给这个电路中参数比较全，但是缺晶体管β值，不妨设β=100。计算分分析与设计两大类。分析主要是判断工作点是否合理，以及计算电压放大倍数、输入输出电阻等。