本文目录一览：
- 1、半导体电阻与绝缘电阻测试原理有何不同?
- 2、半导体二极管的正向交流电阻与正向直流电阻二者大小关系是?
- 3、场效应管输入阻抗较大的是那一类
- 4、阻抗是什么?输入输出阻抗的含义?
- 5、半导体复合后阻抗减小原因
半导体电阻与绝缘电阻测试原理有何不同?
1、半导体电阻测试和绝缘电阻测试是两种不同的测试方法，其原理和测试对象也不同。半导体电阻测试是针对半导体材料的电阻进行测试。半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电阻特性，其电阻值可以通过电流和电压的关系进行测量。
2、定义范围不同：绝缘电阻算是与绝缘阻抗的一部分，在交流电路中，除电阻外，还有电感和电容等皆有阻碍电流作用，通常将阻止交流电流作用的部分，总称为阻抗。在直流与交流中含义不同：在直流电领域中，物体对电流阻碍的作用叫做电阻，世界上所有的物质都有电阻，只是电阻值的大小差异而已。
3、定义不同。通常把电阻系数小的（电阻系数的范围约在0.01~1欧毫米/米）、导电性能好的物体叫做导体。例如：银、铜、铝是良导体。电阻系数很大的（电阻系数的范围约为10~10欧姆·毫米/米）、导电性能很差的物体叫做绝缘体。
4、多数导体的电阻随温度的升高电阻增大，绝缘体的电阻极高，对温度的变化不明显。半导体的电阻对温度变化很敏感，因此常用于热敏电阻的制造，热敏电阻根据材料不同可以是正温度系数，也可以是负温度系数。用一定的直流电压对被测材料加压时，被测材料上的电流不是瞬时达到稳定值的，而是有一衰减过程。
半导体二极管的正向交流电阻与正向直流电阻二者大小关系是?
半导体二极管的正向交流电阻与正向直流电阻两者大小关系为( C )。 A. 一样大 B. 一样小 C. 前者比后者小 D. 前者比后者大 50.输入阻抗高、输出阻抗低的放大器有( B )。 A. 共射极放大器 B. 射极跟随器 C. 共基极放大器 5二极管的主要特性就是( C )。
再看二极管的交流电阻：二极管两端电压的微小变化量÷同时发生的电流的微小变化量。这里的关键是“微小变化量”。我们说，在直流基础上的变化就是交流。由于二极管的电压---电流关系曲线不是直线，所以，在同一状态下，二极管的直流电阻与交流电阻是不同的。一般来说，交流电阻要比同时的直流电阻小。
答案：减小； 温度；理由： 二极管有两个电阻：直流电阻，和微分电阻（也叫动态电阻=du/dI），前者随电流增大而增大，后者随电流增大而减小，看一下伏安特性曲线就知道了，很显然。ICEO是三极管的反向饱和电流，也叫穿透电流，你也可以理解为漂移电流。它只与温度有关，温度越高，Iceo会越大。
对二极管正向电阻的处理，要根据电路用途。如果是直流通路中，二极管的正向电阻可以考虑，因为无论正向电阻多大，二极管两端的直流压降都是0.7V，因此要考虑二极管的正向压降0.7V。直流通路中，二极管的反向电阻可以看作无穷大，也不必考虑。二极管（PN结）的正向直流电阻等于0.7V÷工作电流。
场效应管输入阻抗较大的是那一类
确切来说，是绝缘栅型场效应管输入电阻高。主要原因是场效应管是电压控制元件，理想的场效应管栅极G与源极S间基本上是无电流的，只有控制电压，但G与S间是绝缘的，因此电阻非常大，通常为10的八次方。
我不知道哪一种场效应管能满足你的要求，我认为对小信号（微弱信号）用锗管三极管比较合适。
结型场效应管的原理差不多，其工作时候的PN结是反偏的，也没有输入电流。场效应管是电压控制性原件，所以输入阻抗极高，输入电阻至少10M欧以上。
场效应管：具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。三极管：晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。
阻抗是什么?输入输出阻抗的含义?
1、阻抗是一个比电阻大的概念.阻抗包括感抗\容抗\电阻，感抗是电感(线圈)对交流电的阻碍能力，容抗是电容对交流电的阻碍能力，电阻是导体对稳恒电流的阻碍能力，不同阻抗的材料组合起来可以控制电路的电流\相位\波形，从而实现控制.输入阻抗是指一个电路输入端的等效阻抗。
2、用戴维宁等效，从输入端（开路）看入各元件的等效电阻电抗叫输入阻抗，输出类推。阻抗(electrical impedance)是电路中电阻、电感、电容对交流电的阻碍作用的统称。阻抗的单位是欧。阻抗衡量流动于电路的交流电所遇到的阻碍。
3、输入阻抗是指一个电路输入端的等效阻抗。在输入端上加上一个电压源U，测量输入端的电流I，则输入阻抗Rin就是U/I。你可以把输入端想象成一个电阻的两端，这个电阻的阻值，就是输入阻抗。输入阻抗跟一个普通的电抗元件没什么两样，它反映了对电流阻碍作用的大小。
4、就是输出点，它所提供的能源或信号，就是输出。输入阻抗（阻力）是指用能设备（接受输出的设备）对输入该设备能源、信号等所呈现的“阻力”（阻挡程度）的大小，而输出阻抗则应该是指该设备向其它设备提供能源、信号时，本身所呈现出的“阻力”（阻挡程度）的大小，也叫做“能源的内阻”。
5、或电流)恒定的能力称为带负载能力。而输出电阻RO就是表征这种能力的一个性能指标。运放的输入阻抗是很高的（大于1M以上），所以你串联多大的电阻（1K-100K）都不会影响实际效果。这个电阻也就可以算限流电阻了，因为实际上不需要限流，运放的内阻太高了，能输入的电流本身是极小的。
半导体复合后阻抗减小原因
您要问的是半导体阻抗低原因是？根据查询阿道巴巴官网显示。介质厚度，增加介质厚度可以提高阻抗，降低介质厚度可以减小阻抗；不同的半固化片有不同的胶含量与厚度。线宽，增加线宽，可减小阻抗，减小线宽可增大阻抗。
因为在一定温度下，半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。半导体的五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。
在一定温度下，电子-空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子-空穴对，载流子密度增加，电阻率减小1。
介质厚度、铜厚等。阻抗谱下降原因：介质厚度，降低介质厚度可以减小阻抗，不同的半固化片有不同的胶含量与厚度，使阻抗谱下降。铜厚，增大线厚可减小阻抗，也会使阻抗谱下降，线厚可通过图形电镀或选用相应厚度的基材铜箔来控制。