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半导体都有哪些
半导体有：元素半导体、化合物半导体、固溶体半导体、纳米半导体、多孔半导体。元素半导体 由单一元素组成的半导体，如硅（Si）和锗（Ge）。这些元素半导体具有稳定的化学性质和较高的导电性，常用于制造集成电路和电子器件。
锗、硅、硒、砷化镓、许多金属氧化物和金属硫化物等。其导电性介于导体和绝缘体之间的半导体称为半导体。半导体有一些特殊的性质。例如，可以利用半导体的电阻率与温度的关系来制作热敏元件(热敏电阻)，用于自动控制；利用其光敏特性，可制成光敏元件用于自动控制，如光电池、光电池、光敏电阻等。
锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。
请问半导体与金属混合会不会改变半导体的性质
在室温下，本征半导体的电阻率较高，但随着温度的升高，其电阻率会减小。通过掺入适当的杂质，可以显著降低材料的电阻率，从而改变其导电性。这种掺杂后的半导体被称为杂质半导体。根据掺杂的杂质类型，半导体可以分为N型（导带电子）和P型（导带空穴）半导体。
现在你看到另一个关节不是在释放热量，而是在吸收热量。这种现象是可逆的。只要改变电流的方向，就可以调节放热和吸热的操作。电流的强度与吸收和释放的热量以及半导体本身的性质之间存在着正比关系。
在本征半导体中，加入掺杂元素可以改变其导电性质，其中掺杂了特定元素后可以形成p型半导体。能带结构。掺杂三价元素之后，半导体材料的能带结构发生变化。在p型半导体中，由于缺少了电子，价带的最高能级上出现了能量较高的能级，被称为价带空穴带（valence band hole band）。
即杂质半导体，半导体掺杂掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。也能通过加入更多的acceptors来把N型半导体转换为P型半导体。故意添加对立极性的杂质来转换半导体的型号被称为counterdoping。大多数现代的半导体是用有选择性的counterdoping硅来制作的。
半导体的掺杂方式有哪些?
半导体的常用掺杂技术主要有两种，即高扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类，第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质，第二类是产生复合中心的重金属杂质。热扩散技术是对于施主或受主杂质的掺入，就需要进行较高温度的热扩散。
半导体的常用掺杂技术主要有两种，即高温（热）扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类：第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质（如Si中的B、P、As）；第二类是产生复合中心的重金属杂质（如Si中的Au）。
因为N型半导体载流子是电子，故根据电流的方向和两个侧面的电位高低就可以进行判断。如果条件允许，你找一个掺杂已知的半导体，然后把他们粘到一起，组成个整体结，分别测两端电流导通情况，如果出现不能导通情况，则说明未知的和已知的相反，如果都导通，则相同。
以一个硅的本质半导体来说明掺杂的影响。硅有四个价电子，常用于硅的掺杂物有三价与五价的元素。当只有三个价电子的三价元素如硼（boron）掺杂至硅半导体中时，硼扮演的即是受体的角色，掺杂了硼的硅半导体就是p型半导体。
就是在四价的半导体内加入导电的元素，比如在硅，锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性，加入的愈多，半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。
igbt的结构和工作的原理是什么
IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。
IGBT（绝缘栅双极晶体管）的工作原理涉及到半导体器件的一些基础概念。IGBT由四个半导体P-N层交替叠加而成，形成PNPN型四层器件。IGBT的基本结构类似于一个NPN型的双极晶体管和一个P型功率MOS管串接在一起。栅极控制导通和关断，集电极和发射极之间的电压可以产生大电流。
IGBT 的操作原理是：在 Gate（栅）上加上可控信号，使得在 Collector 与 Emitter 之间建立一个正向的电流（可以近似地看作继承于 BJT，这里只展示栅控原理，加强控制范围和带负载线性度），栅极使用晶体管开关来控制集电结的反向偏置，以控制输出电路中的功率。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）驱动模块的工作原理涉及到对IGBT的控制和驱动。以下是简要的工作原理：IGBT基本结构： IGBT是一种混合型功率半导体器件，结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和Bipolar Junction Transistor（双极晶体管）的优点。
电流可以自由通过。而当栅极电压低于临界电压时，IGBT将进入关断态，电流无法通过。总结来说，IGBT的工作原理是通过控制栅极电压，形成可控的通道，使电流在集电极和发射极之间流动。其优点是具有高电压支持能力和低开关损耗，在各种应用中被广泛使用，例如电力传输、工业控制和电动汽车等领域。
介绍下半导体的掺杂问题?
其实半导体掺杂是化学反应，不是简单的混合，这种技术只有欧美有。当晶体管越来越小时，普通掺杂成功率越来越低，学学原子晶体，对半导体的认识会有收获。此外，氮元素电负性太大，与硅掺杂无法形成四价，只能是三价键，不可以导电的。
就是在四价的半导体内加入导电的元素，比如在硅，锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性，加入的愈多，半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。
掺杂是将少量杂原子（掺杂剂）引入半导体中，以改变其电学性质的一种方法。
半导体的常用掺杂技术主要有两种，即高扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类，第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质，第二类是产生复合中心的重金属杂质。热扩散技术是对于施主或受主杂质的掺入，就需要进行较高温度的热扩散。
半导体术语中的掺杂是指控制特殊杂质原子的数量，从而有目的地增加电子或者空穴的浓度。为了增加电子浓度，通常会在硅中掺入Ⅴ族元素，如磷与锗，这些提供额外电子的杂质原子称为施主原子；为了增加空穴浓度，通常会在硅中掺入Ⅲ族元素，如硼，这些提供多余空穴的杂质原子称为受主原子。