电容布局（“电容”）

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1、应该是先用大电容滤除低频，然后再用小电容滤除高频。

2、我认为应该是先大而小，先由大电容滤波，过滤不掉的再经过小电容，如果先小后大，由于大电容容抗较小，接通电源后，电流会越过小电容先到大的，可能会影响滤波效果。

3、小电容应该尽量靠近IC的电源引脚摆放，大电容的摆放位置相对宽松一些，但都应该尽量靠近IC摆放，不能离IC距离太远，超过其去耦半径，便会失去去耦作用。

4、SO，小电容应该尽量靠近IC的电源引脚摆放，大电容的摆放位置相对宽松一些，但都应该尽量靠近IC摆放，不能离IC距离太远，超过其去耦半径，便会失去去耦作用。

5、法律分析：《GB 4583-88 印制电路板设计和使用》中规定了pcb设计规范国家标准。印制电路板的布线区域主要由安装的元器件类型和数量，以及互连这些元器件所需要的布线通道决定。在印制电路板外形尺寸已定情况下，布线区域受制造条件、导轨槽及装配条件等限制。

1、小电容应该尽量靠近IC的电源引脚摆放，大电容的摆放位置相对宽松一些，但都应该尽量靠近IC摆放，不能离IC距离太远，超过其去耦半径，便会失去去耦作用。

3、应该是先用大电容滤除低频，然后再用小电容滤除高频。

4、电容器除了有电容量以外，它还有分布电感，因为微法级别以上的电容器的极板都是用很长的金属箔圈起来制成的，它就类似于一个多匝的线圈，所以就形成了电感效应。去耦电容主要是为了旁路掉工作频段之外的高频信号，而这个分布电感则会阻碍对高频信号的旁路作用。

我认为应该是先大而小，先由大电容滤波，过滤不掉的再经过小电容，如果先小后大，由于大电容容抗较小，接通电源后，电流会越过小电容先到大的，可能会影响滤波效果。

应该是先用大电容滤除低频，然后再用小电容滤除高频。

小电容应该尽量靠近IC的电源引脚摆放，大电容的摆放位置相对宽松一些，但都应该尽量靠近IC摆放，不能离IC距离太远，超过其去耦半径，便会失去去耦作用。

SO，小电容应该尽量靠近IC的电源引脚摆放，大电容的摆放位置相对宽松一些，但都应该尽量靠近IC摆放，不能离IC距离太远，超过其去耦半径，便会失去去耦作用。

首先，从容量上来看，大电容通常拥有更大的电容量，能够存储更多的电荷。而小电容则相对较小，其电容量也较小。这种差异使得大电容在需要存储大量电荷的场合中更为适用，如电力系统中用于稳定电压的大容量电容器。而小电容则更常用于需要快速充放电的场合，如电子设备中的高频信号处理电路。

第一个作用偏路电容：用于旁路电路中的电容叫做旁路电容，用于向本地器件提供能量，使稳压器输出均匀化，降低负载的需求，尽量减少阻抗，滤除输入信号的干扰。

电感摆放位置：SW351X采用磁环绕线电感，电感两端出线可再次调整位置。根据机构空间需求，灵活建立电感封装，躺竖摆放，不要与机构有任何干涉。SW351X输出电感靠近SW351X引脚摆放，尽量与SW351X摆同一层。

华为的SCP和FCP充电协议在兼容性上存在差异。SCP（SuperCharge Power）协议与FCP（Fast Charge Protocol）有所不同，FCP主要应用于USB PD快速充电标准，工作电压在9V左右，最大电流可达2A，可提供高达18W的输出功率。

电容布局（“电容”）

VDD_GPU设计：覆铜、过孔和GND过孔遵循上述原则，线宽要求在120mil-200mil之间，确保GPU供电的高效。在过孔安排上，优先考虑电源和地层的连通性，同时保持信号线的规整性。

滤波电容位置：确保靠近芯片的VDD_CPU_BIG管脚的去耦电容位于管脚背面，且GND PAD靠近中心GND。管脚过孔与走线：每个管脚需有对应过孔，走线线宽建议10mil，井字形交叉。覆铜与路径：覆铜宽度足够，路径避免严重分割，确保每个PIN脚的连接路径充足。