本文目录一览：
- 1、mos管开关开关过程中会不会产生感应电动势
- 2、MOS管的工作原理是什么?
- 3、MOS管和IGBT管有什么区别?为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管...
- 4、供电mos管上下管为什么不一样
mos管开关开关过程中会不会产生感应电动势
mos管耐压值选择具体如下：MOSFET的耐压，一般根据负载的类型来考虑余量。如果是纯阻性负载，开关频率很低，那么余量可以小一些。
当电路中断开开关时，电感元件的磁场会发生变化，从而产生感应电动势。这个感应电动势会阻碍电流的变化，导致电流的变化速率减慢。
这样就有起到过压保护，以防一通电或者关断时候产生感应电动势产生的电压把可控硅 击穿 ，有时候还会串联一个 电感 。
所以耗散功率小，效率也更高，所以一般的功率开关管会选择MOS管而不是BJT。不过MOS管并不是没有缺点的，由于MOS管的栅电容的天然缺点，会影响开关速度，同样用途的管子，一般BJT要比MOS的速度更快。
K1是电感负载，断电的瞬间会产生反向高压，如果没有这个续流二极管就可能把mos管很薄的绝缘层击穿造成永久性损坏。
MOS管的工作原理是什么?
工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。
MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。而当PN结处于正向偏置状态时，其电阻非常小，电流可以通过PN结流过。
MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。MOS管的结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成。
MOS管和IGBT管有什么区别?为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管...
IGBT单管和MOS管的区别：从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型。
驱动电路区别 IGBT输入电容要比MOS大，因此需要更大电压驱动功率，mosfet一般在高频且低压的场合应用，即功率＜1000W及开关频率＞100kHZ，而IGBT在低频率高功率的场合表现较好。
MOS管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。IGBT焊机：MOS管：工作过程 MOS管：管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
供电mos管上下管为什么不一样
1、测量CPU供电管，红表笔接地，黑表笔依次测量MOS管的G极对地的阻值，一般为460-680不等，如果太小了就要把上面的管子取下来测量。取下后先短接G D S三个电极，然后测量D S极的正反向阻值，正常时只有一个阻值。
2、上管指的是P沟道一侧的管，下管指的是N沟道一侧的管。只要把场效应管连入电路，给合理的导通电平，能够实现合理放大，那么高电平端接的就是上管。否则就是接反了，高电平接的就是下管。场效应晶体管简称场效应管。
3、一个完整的供电系统，mos管一般都是两个，一上一下。这个越多越好，输出过滤的就越平稳。
4、电性参数不一样，当然不能互代换。如要换也要找电性参数一样或型号一样的管来代换。
5、要求高的电路一般使用的上下管参数都不一样，但极性是一样的。MOS管D极接电感的为下管，S极接电感的为上管。
6、不。上下MOS管不能同时导通，mos管上下桥不同开，那么可以有几种控制方式：PWM控制上管，下管电平控制（恒高或者横低）；PWM控制下管，上管电平控制；上下管都是PWM控制；某个管的控制可以是PWM控制和电平控制都有。