mos管的关键参数（mos管的主要参数有哪些）

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1、N65是15A，650V，N沟道功率MOSFET 20N60是20A，600V，N沟道功率MOSFET 20A电流大于15A，是可以的。600V电压少于650V，这个就不一定了，如果负载小于600V就可以，如果负载大于600V，就不行了。

2、毫安。根据该mos管简介可知，该mos管的电压为500毫安。MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。

3、IRFP460：这是国际整流器公司生产的一款大功率mos管，最大漏极电流可达20安培，最大漏极电压可达500伏特。IXFN44N50Q2：这是英飞凌公司生产的一种大电流mos管，最大漏极电流可达44安培，最大漏极电压可达500伏特。

4、还行。mos管d1985效果还行，是硅npn型大功率三极管，耐压值是60伏，最大集电极电流3安培，耗散功率为25瓦。

影响MOSFET在缓启动和防反接应用中效率的主要指标包括：电压等级、导通电阻、栅极电荷和优值系数、额定电流和功率耗散。电压等级电压等级是确定MOSFET首要特性的因素，即漏源击穿电压（VDS）。

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。

mosfet意思是金属氧化物半导体场效应晶体管。mosfet是英文MetalOxide SEMIcoductor FiELD Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。

(1)漏极电压UDS——电力MOSFET电压定额(2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM——电力MOSFET电流定额(3)栅源电压UGS—— UGS20V将导致绝缘层击穿。

mos管的关键参数（mos管的主要参数有哪些）

N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极(漏极D、源极S)；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。

它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右0.1μA左右)，还具有耐压高(最高可耐压1200V)、工作电流大(5A～100A)、输出功率高(1～250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。

因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V；锗管加0.2V。

1、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

2、这个主要是看你用在什么上面，然后根据你的应用选择参数。一般来说，考虑的参数是Vds，Ids以及Rds这三个，还有有的会考虑Ciss这个参数的，希望能帮到你。

3、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

4、如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。

5、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。