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阈值电压和掺杂浓度的关系(阈值电压)
简单的来说，阈值电压的意义是给栅极加电压后，使沟道感应出足够浓度的电子所需的电压（以N沟道增强型MOS为例）。
影响mosfet阈值电压的因素是栅氧化层厚度氧化层固定电荷衬底掺杂浓度。MOSFET阈值电压是指在MOSFET导通的过程中，栅极和源极之间的电压达到一定值时，MOSFET开始导通的电压。
这个电压的大小与衬底的掺杂浓度有直接的关系。衬底掺杂浓度（QB）越低，多数载流子的浓度也越低，使衬底表面耗尽和反型所需要的电压VGS越小。
MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?
1、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
2、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。
3、MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
4、最大20瓦，最小12瓦。根据查询国家标准《安全电压》信息显示，mos管的导通起控电压为2到4瓦，GS极之间最高电压不能超过20瓦，GS两极之间接入最低12到15瓦，所以mos管开启电压最大值为20瓦，GS最小值为12瓦。
5、MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）式中：Un：为电子的迁移速率。Cox：为单位面积栅氧化层电容。W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。
mos管阈值电压对噪声容限的影响大吗
1、速度、功耗受输入输出电容影响，噪声容限受电源电压影响。
2、)TTL与非门的开、关门电平越接近阈值电压VT，噪声容限越大。 10)三极管反相器的拉电流负载电阻过小时，主要对输出的高电平产生影响。 11)三极管反相器的灌电流负载电阻过大时，主要对输出的低电平产生影响。
3、而增强型MOS管只有在开启后，才会出现导电沟道；两者的控制方式也不一样，耗尽型MOS管的VGS(栅极电压)可以用正、零、负电压控制导通，而增强型MOS管必须使得VGSVGS(th)(栅极阈值电压)才行。
4、所以交流噪声容限通常比直流噪声容限大。按理交流噪声容限更能科学地反映电路在实际工作条件下的抗干扰能力，但交流噪声容限测量困难，且与施加的干扰波形有关。
5、目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。
6、MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。
mos管的主要参数
场效应管4102STP80NF70参数：TO-220，ST，DIP/MOS，N场，68V，98A，0.0098Ω，最大耐压68V。场效1653应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。
耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。