mos管gds（mos管gds短路烧坏的原因）

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1、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

2、G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

3、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

1、V60A，100V67A的MOS管，100V75A，100V110A，100V170A，100V200A的MOS，都是大功率的，也有些是MOS模块，100V250A，100V300A的MOS，海飞乐技术的MOS管就是在台湾工研院的芯片在内地封装的。

2、A。MOS管承受电流6到9A最大不会超过20A。三极管最大特点是输入阻抗高。作为放大电路或者担任功率放大也可以。

3、你的补充基本正确，但最大电流一处有错，MOS管的电流参数很多时候厂家会给出连续电流，短时间电流和峰值电流，泛指最大电流不是很恰当，所以在应用时要根据应用的实际情况，认真看具体mos管的详尽参数。

4、该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。

G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

栅极，源极，漏极。mos管的三个电极之间有一个沟道，称为沟道效应，正确顺序为栅极，源极，漏极，在大多数的半导体器件中，由于制造工艺的限制，沟道的宽度都比较窄。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。

N沟道MOS场效应管好坏的测量方法用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。

都可以。但是如果封装对应了某种引脚次序的原理图，那么就不能随便了。假设封装1---D，2---S，3---G，那么原理图库也只能选择这种次序的器件库。

mos管gds（mos管gds短路烧坏的原因）

场效应管有三个电极，g（控制极）d（漏极）s（源极）。p20nm60是n道沟，20a，600v场效应管，正面放置，引脚朝下，从左到右，依次为gds，三个电极。

这说明，此场效应管已被触发导通了。在这个时候，黑表笔接S极，红表笔接D极，会发现，有数值显示了。这说明，此场效应管是完好的。如果所测的结果与上述两种方法均不符，则这个场效应管就是坏的。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

一般正面对你，（散热片为背面）左起为GDS。拿万用表量的话，S到D为正向二极管，拿电阻档量约为500K，二极管档量为0.4V。另外用电阻档量GS后，（红表笔接G，黑表笔接S）DS会通。

判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。

MOS管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。

先确定MOS管的引脚：先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。