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功率MOS场效应晶体管的选择方法
法则之一：用N沟道orP沟道 选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。
很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。
mos管耐压值选择
1、mos管耐压值选择具体如下：MOSFET的耐压，一般根据负载的类型来考虑余量。如果是纯阻性负载，开关频率很低，那么余量可以小一些。
2、v。一般宽电压范围反激电源AC/85～265V的MOS管耐压选：650V，单电压范围反激电源AC/180～265V的MOS管耐压选：800V。
3、. 选择MOSFET的耐压 MOSFET的耐压，一般根据负载的类型来考虑余量。比如是纯阻性负载，开关频率很低，那么余量可以小一些。如果是感性负载，或者是开关频率比较高， 选择工作电流 选择工作电流，许多工程师都在这里踩过大坑。
4、MOS管的耐压值通常指的是它的最大额定漏极-源极电压（VDS）或栅极-源极电压（VGS）。这些电压是MOS管可以持续承受的最大电压，而不会损坏或击穿。这些电压通常是稳定的直流电压，而不是瞬时电压。
5、V。根据查询相关资料显示，为了保证MOS永远不会到耐压值，就选用600V耐压的反击电源内置MOS，留有余量，电路中最高反向电动势，钳位一旦超过600Vmos就会崩坏。
如何选择最适合的MOS管驱动电路?
1、(1)开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
2、选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。
3、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
4、一个是需要关注MOS管的最大驱动能力，也就是最大电流值。MOS管的耐压值，另外一个就是封装，主要是考虑散热问题。
5、如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。