mos管接反（mos管防反接电路）

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反向也是可以通的，当MOS管导通，D和S端就相当于一个电阻。可以参考用MOS搭的直流电压防接反电路，可以看出导通方向是S到D，不是D到S。

因为对于MOS管来说，管内的衬底在制造时被连接到了S端，S端已经被确定了，而DS端无法互换，但是DS间的电流方向却可以是双向的。

P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。

但是有的绝缘栅场效应管在制造产品时已把源极和衬底连接在一起了，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况P衬底接低电位，N衬底接高电位。

理论上讲是可以的。但是有些场效应管内部在DS间反向并联了一个续流二极管，就不行了。

当栅源压差大于导通电压（vth）后，场效应管就开始导通了，实际应用中，经常把源极接在gnd上，方便管子的开启关断。

MOS管，如果漏极与源极的电压反接，就是当作二极管来用了。MOS管，漏极和源极之间反并有一寄生二极管。

电池接反后对充电器的危胁比短路还严重，受到直接危胁的是直流整流管，其损坏后可能进而导致电源开关管损坏，而直接波及到市电整流管。

所有DC/DC电源，它的输入电压(如48V输入电源)都是有极性的，假如一旦输入电压接反，如果电源本身没有保护电路，就会烧坏其MOS管和一些重要器件；如果有保护电路则会引起该电源不起机，无输出，如图1所示。

- IGBT：IGBT的导通电阻较高，相对于MOSFET，它在导通状态下会有一些功耗。因此，它更适用于中高电压应用。开关速度：- MOSFET：MOSFET具有非常快的开关速度，适用于高频应用，如直流至直流转换器（DC-DC转换器）。

防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。

防反原理分析：当电源正负极输入正常时，N-MOS管的控制极G为正电压，接通瞬间，电路板负极电流从寄生二极管D1流向电源负极，此时若电压满足要求，电路板是可以正常工作的，只是有约0.7V的压降。

瞬时形成雪崩效应，大电流产生电弧，高温迅速烧融IGBT模块内部管结，令模块外壳破裂。虽然变频器驱动设计有软关断保护电路，而往往仅能保护模块不至于产生更严重的炸裂，而发生短路的回路通常都会损坏。

mos管接反（mos管防反接电路）

不会发生倒灌。因为这是由两个MOS管组成的开关电路，虽然MOS管有体二极管，但是在关断的状态，虽然一个可以利用体二极管正向导通，但是另一个MOS管是截止的。

电脑电源的线接错了，轻则电脑开不了机，重则会烧坏电脑硬件。详细接法如下图，但是还需要注意方向，检查方向的办法有两个，一是看接口的卡槽，二是看接口的斜口，只要不要蛮插，顺着方向插下去就可以了。

常见的自耦变压器（包括实验室的），因为输入绕组就是线圈的全部，而输出绕组只是线圈的一部分，所以是降压变压器。当把输入和输出接反了，就不会从输出得到预期的电压值。

硬盘驱动器适配卡上的芯片短路会导致系统析负载电流加大，驱动电机短路或驱动器短路会导致主机电源故障。硬盘电源+12V的工作电流应为1A左右。当硬盘驱动器负载电流加大时，会使硬盘启动时好时坏。

热继电器通常由以下五个部分构成：热元件、触头系统、动作机构、复位装置和电流整定机构。在接线时，主电路三相分别接到L1-T1 L2-T2 L3-T3，控制回路接入NC两端。如下图：热继电器的关键零件是热元件。

三相电源和两相电源的原理相同，没有正负之分，怎么接都可以，因为是交流电，但是一般按照A、B、C，或、黄、绿、红相顺着接，如果连接的是三相电机，有时会出现反转，此时就把任意的两根相线对换就可以了。