低压mos管（低压MOS管应用设计）

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MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

MOS管是一种场效应晶体管，它是由金属、氧化物和半导体材料组成的。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。

MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。

1、工作电压范围：高压MOS管用于工作电压高的应用，在几十伏特至上百伏特的范围内，而低压MOS管适用于低的工作电压，在几伏特至几十伏特之间。

2、电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

3、开关电源，电动马达、照明调光等驱动电路中。在这里应用中，使用的是低压MOS管。低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。

4、低压：低于400V。中压：10-35kV。高压：110kV以上500kV以下。由于我国的电压等级基本有220V、380V、10kV、24kV、35kV、110kV、220kV、500kV、800kV、1000kV。在一定的电压作用下，通过人体电流的大小就与人体电阻有关系。

5、耐高压的MOS管与耐低压的MOS管区别：耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

6、通常耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢，也就是说其工作频率相对会低一些。

低压mos管（低压MOS管应用设计）

1、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。

2、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

3、负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。

飞虹电子的这一款FHP4410低压MOS管为N沟道沟槽工艺MOS管，在参数性能上不仅可以替代IRFB4410场效应管，还可以替代10H16场效应管，主要应用72V/24-30管电动车控制器电路上。

可控硅里的三极管也一样，不能用MOS代替。

耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

华硕从P55开始喜欢用NXP的MOS管。之前喜欢用NIKOsemi。微星从P45开始喜欢在高端主板上用Renesas的DrMOS，有时也用ONsemi。技嘉从P35开始用NECEL的MOS，NECEL被收购后换了ONsemi。低端板子也是NIKOsemi的天下。

mos管不仅只是有功率要求的，mos管有很多很多的参数，比如等效电阻，频率特性等，哪个地方用什么mos都是有讲究的。不能随便换，不然铁定出问题。

1、-5v可以驱动的mos管，所有的开关三极管、MOS管、可控硅、节能灯、电子镇流器里使用的1300130013007等都能被驱动。根据相关公开资料查询了解到，MOS，是MOSFET的缩写。

2、带软开启功能的MOS管电源开关电路具体的分析，见文章《带软开启功能的MOS管电源开关电路》不过要求2A电流的话，图示的MOS管已经到达上限了，除非有充足的降温措施，不然稳定性不够，还是换用更大封装的管子会比较好。

3、为什么非得要5V？IRF630是4V的开启电压，你可以用电阻分压5V，下端4V上端1V，将分压点4V端连IRF630的G极，可实现5V开启导通。

4、控制电源的通断一般用PNP型三极管，如果电流在250MA以下的话可以用S8550，如果电流比较大的话可以用TIP42。在PNP三极管基极上再接一个NPN的推动三极管如S945，S9014都可以。

5、当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。