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三极管导通时,各级之间电压是多少呢?
1、三极管导通时，c、e间电压可低至0.1v，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。
2、三极管导通时基极与发射极之间的电压无关，基极电压≥1V，三极管导通。
3、当三极管处于放大状态时，基极电压比发射极电压高约一下PN结压降（0.6V左右），集电极电压处于电源电压与发射极电压之间（一般来说至少比发射极电压高1V）。
4、当A点输入6V时（B、C点高电位），发射极的二极管承担0.7V，所以T1基极应该为3V，这里T1没有Vcc。
5、三极管能否导通，不是看基极电压是几V，而是基极和发射极之间的压差，也就是Vbe=0.7V 。三极管进入放大状态的关键：发射结正偏，集电结反偏。基极：基极是半导体三极管的电极。
6、基极电流至少应该大于ic/β，为了确保饱和导通，应该再大50%的基极电流。至于基极电压，倒是永远在0.7v上下。例如用来开关100ma的电路，管子β=100，基极电流应该大于1ma，至少要取5ma以上。
如何判断三极管的工作电压?
1、处于截止状态，当基极电压低于发射极0.6V左右，集电极电压低于发射极0.3V左右，处于饱和状态。如果是形式比较复杂的电路，由于电流旁路很多，所以要看具体电路才能分析确定，无法简单地仅根据判断三极管各极电位来判断其工作状态。
2、如果我们在检测电路中发现晶体三极管极间电压为上述数值，即可判断该三极管工作在放大区，由该三极管组成的这部分电路为放大电路。
3、接近或等于0伏的是发射极E，小于电源电压，大于0.7伏的是基极B，当交流信号为负时，B极也可以是负电，比如说开关电源中的开关管。PNP型三极管则相反。属于此范畴中的基本判断三极管工作正常。
4、NPN三极管的三级电压的关系是：UcUbUe PNP三极管的三级电压的关系是：UcUbUe 中间那个肯定是基极，且有锗三极管的VBE=0.2V，硅三极管的VBE=0.7V……有了这些基础知识就可以判断。一般用硅的，就是0.7V。
N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...
不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。
N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极(漏极D、源极S)；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。
N沟道耗尽型MOS管组成的共源极放大电路场效应管的栅极通过电阻Rg接地，源极通过电阻Rs接地。这种偏置方法靠漏极电流Id在源极电阻Rs上产生的电压为栅源极提供一个偏置电压Ugs，故称为自偏压电路。
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。