本文目录一览：
MOS管D极和S极要短接一下才导通?
1、mos管坏了不可以直接短接，通过MOS管实现一定功能，比如稳压，通断功能，如果短接电源直接跨过MOS管，所有功能失效，会损坏设备。mos管是由输出信号控制的开关管，启动稳压的作用，如果短接就没有反馈控制导致电路烧毁。
2、如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。
3、在测量MOS管的导通值时，应该先将其G极和S极之间先短接，进行放电。A、MOS管在电路中的代表字母 Q、PQ、VT、U。
mos管坏了可以直接短接吗
1、贴片mos管可以通过在两个端子之间进行短接的方式进行测试或者其他操作。2 短接可以使得贴片mos管的工作状态被改变。当两个端子被短接时，电流会直接流过短接处而不会通过管子内部的结构。
2、注意烙铁接地，手先放静电，MOS引脚可以先短接防烧坏。风枪温度不宜过高。
3、当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压（通常为2V），源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极，负载工作。
4、mos管栅源短接相当于二极管接法，它的名字叫二极管接法，但是并不是像二极管一样具有整流特性，它具有的特性只是二极管正向导通时候的样子，就表现出一个小电阻似的小信号特性。
5、D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极，负载工作。当栅极/基极(G)电压小于MOSFET管开启电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载负极被负载电源正极拉高，负载不工作。
6、首先MOS管是必须拆下来测才能判定好坏的，因为在电路板上存在回路会影响测量。其次既然你已经确定了是12V供电，那么你把12V直接加在主板电源接口是不会烧坏的，但不可以将12V直接短接至某一电子元件。
请教场效应管的简单接法
源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。
mos管栅源短接相当于什么
以NMOS三极管为例，把源极S和衬底接地，在栅源间加上正电压Vgs，即在栅极和衬底之间形成的电容上加上正电压，则衬底表面将感应出负电荷来。
源极和衬底连接是MOS管的一种用法。两者相连时相当于pn结（衬底-源）上接零电压，pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡，pn结上总电流为零。 栅源不加电压时，沟道不开启，不会有漏源电流。
电路中效应管g和s短接原理是：短接G、S三只电极，泄放掉G-S极间等效结电容在前面测试过程中临时存储电荷所建立起的电压UGS。双向稳压管，是起保护作用的，也不可避免的有一些漏电流，会慢慢地放掉栅源电容存储的电荷。
FET的名字也来源于它的输入栅极(称为gate)，它通过在绝缘层(氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体管的电流。实际上没有电流流过这个绝缘体(只是电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。
在正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必须与源极相连，而漏极对源极的电压VDS应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面附近形成导电沟道，栅极对源极的电压也应为负。 当VDS=0时。