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开关管漏极和源极的电容作用
1、．补偿电容：它是与谐振电路主电容并联的辅助性电容，调整该电容能使振荡信号频率范围扩大。8．中和电容：并接在三极管放大器的基极与发射极之间，构成负反馈网络，以抑制三极管极间电容造成的自激振荡。
2、降低放大器的增益：源极和漏极之间的寄生电容会形成一个电容分压网络，降低放大器的增益，从而影响放大器的性能。
3、延时作用，电容充满电后，由于电容两端电压不能突变，所以它可持续触发三极管Q1导通若干秒，起到一个电路延时的作用。
4、第一个作用 偏路电容：用于旁路电路中的电容叫做旁路电容，用于向本地器件提供能量，使稳压器输出均匀化，降低负载的需求，尽量减少阻抗，滤除输入信号的干扰。
5、二极管起整流作用，把交流电压变成脉动直流电压。
如何选择最适合的MOS管驱动电路?
(1)开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。
MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
一个是需要关注MOS管的最大驱动能力，也就是最大电流值。MOS管的耐压值，另外一个就是封装，主要是考虑散热问题。
如何避免MOS管开关易损失的情况?
1、对于高频磁性材料引起的损耗，要尽量避免趋肤效应，对于趋肤效应造成的影响，可采用多股细漆包线并绕的办法来解决。
2、P-MOS 场效应管 AO4409 【栅极 → 漏极 】之间的耐压为 10V ，当电源电压 B+ 超过 10V 时就有可能击穿了。
3、首先，栅极串联10欧左右的电阻，降低LC振荡电路的Q值。其次，驱动电路结构尽量简单，最好有隔离。最后，电阻限流，然后接入到MOS管的G极即可。
MOS管的工作原理是什么?
1、工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。
2、MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。而当PN结处于正向偏置状态时，其电阻非常小，电流可以通过PN结流过。
3、MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。MOS管的结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成。
详解功率MOS管的每一个参数
选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。
耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。