mos管栅极电流（mos管栅极电流为什么=0）

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当栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。

电流流向不同。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。作用不同。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。

MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

MOS管的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。

在MOS管中，栅极与源极之间加上一定的电压，可以改变栅极和源极之间的电阻，从而控制漏极和源极之间的电流。具体来说，MOS管的结构由栅极、漏极和源极组成。

mos管栅极电流（mos管栅极电流为什么=0）

1、在MOS管中，栅极与源极之间加上一定的电压，可以改变栅极和源极之间的电阻，从而控制漏极和源极之间的电流。具体来说，MOS管的结构由栅极、漏极和源极组成。

2、栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。

3、为了保护MOS管的栅极，防止电流过大而损坏栅极。在MOS管的工作过程中，如果栅极电流过大，会导致栅极和栅极氧化膜受到损坏，从而影响MOS管的性能和寿命。

4、但是，前者只能在vGSlt0的情况下工作而后者在vGS=0，vGS0，VPltvGSlt0的情况下均能实现对iD的控制，而且仍能保持栅源极间有很大的绝缘电阻，使栅极电流为零这是耗尽型MOS管的一个重要特点。

不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。

N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极(漏极D、源极S)；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。

N沟道耗尽型MOS管组成的共源极放大电路场效应管的栅极通过电阻Rg接地，源极通过电阻Rs接地。这种偏置方法靠漏极电流Id在源极电阻Rs上产生的电压为栅源极提供一个偏置电压Ugs，故称为自偏压电路。

B：在截止区 C：在截止区 D：可能在恒流区场效应管要想工作在恒流区，管子必须处于导通状态，且栅源极之间的电压Ugs必须恒定。B和C选项这一类管子，栅极电位必须高出源极的电位一定值（超过开启电压），否则无法导通。

不允许场效应管工作在这个区域，rD-IV恒流区场效应管，在恒流区具有线性放大作用，-2V截止区-41栅极P衬底.缘栅型场效应管的特点是输入电阻高，噪声小。在通常情况下.源极一般都是与衬底相连.即Us=0。

这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。

而MOS 管的栅极电流非常小，趋于零(对于 2N7002，直流情况下，栅极漏电流在 10nA级)，这样一来，在通常的集电极MOS 管的电流增益远远大于 Bipolar。因此，比较电流增益就显得没有意义。

只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是A级的。

场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

栅极漏电流通过R0/R1取样隔离后反馈给计算机，计算机在试验结束后自动显示测试结果。

通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。

1、在MOS管的工作过程中，如果栅极电流过大，会导致栅极和栅极氧化膜受到损坏，从而影响MOS管的性能和寿命。

2、MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）式中：Un：为电子的迁移速率。Cox：为单位面积栅氧化层电容。W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。

3、栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。