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什么是p型半导体和n型半导体?
1、P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。多数载流子：P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，称为多数载流子，简称多子。
2、N型半导体：也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。
3、主要依靠导带电子导电的半导体称之为N型半导体，也即是电子型半导体。主要依靠空穴导电的半导体称之为P型半导体，也即是空穴型半导体。
p型半导体和n型半导体区别
1、导电特性不同 P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。
2、P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。
3、是多数载流子不同 n-type半导体：n-type半导体的多数载流子是电子。p-type半导体：p-type半导体的多数载流子是空穴。
4、P型半导体：也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。
5、N型半导体和P型半导体异同点如下：相同点 半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。
6、主要依靠导带电子导电的半导体称之为N型半导体，也即是电子型半导体。主要依靠空穴导电的半导体称之为P型半导体，也即是空穴型半导体。
什么是半导体的P型和N型?
P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。多数载流子：P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，称为多数载流子，简称多子。
N型半导体：也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。
P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体；N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
主要依靠导带电子导电的半导体称之为N型半导体，也即是电子型半导体。主要依靠空穴导电的半导体称之为P型半导体，也即是空穴型半导体。
P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。
什么叫N型半导体和P型半导体?
1、P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。多数载流子：P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，称为多数载流子，简称多子。
2、N型半导体：也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。
3、主要依靠导带电子导电的半导体称之为N型半导体，也即是电子型半导体。主要依靠空穴导电的半导体称之为P型半导体，也即是空穴型半导体。
4、P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。
5、P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。
6、p型半导体指的是半导体材料中掺杂了少量杂质，使得材料中出现电子空穴，因而导电性与晶体内的空穴浓度成正比。p型半导体材料的电导率主要来自于具有电子空穴的空穴。
n型半导体和p型半导体的区别
1、n型半导体和p型半导体的区别如下：形成原因不同 在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。
2、P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。
3、是多数载流子不同 n-type半导体：n-type半导体的多数载流子是电子。p-type半导体：p-type半导体的多数载流子是空穴。
4、P型半导体：也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。
5、N型和P型半导体之间的主要区别在于它们的电导率和电荷载流子。半导体的电导率由其电荷载流子的密度和迁移率决定。在N型半导体中，掺杂过程引入的额外电子是主要的电荷载流子。