本文目录一览：
3极管和mos管的区别
1、作用不同 MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
2、区别：载流子：三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
3、三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
4、(1)结构不同：三极管是电子元件的一种。它是一种具有三个电极的半导体器件(也有少数情况使用两个)。在电路中常用作分压偏置电路，或作为放大、开关等用。
mos管三极管有几个极,分别是什么?
1、MOS管三个极分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。当栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。
2、三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E分成NPN和PNP两种MOS管的源source和漏drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端。
3、MOS管的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。
4、三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面。可有pnp和npn两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极（emitter，E）、基极（base，B）和集电极（collector，C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
5、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
6、这个是场效应管，俗称MOS管，三极分别为漏极、源极、栅极，功能类比于晶体三极管的集电极、发射极、基极，三极之间有的是不通的，有的在漏极和源极会并联有二极管，沟道类型不同所并二极管的方向也不同。
mos管线性区是恒流区吗
1、MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。
2、mos管的线性区就是 可变电阻区，其阻抗与栅压成反比；mos管的饱和区是放大区，其电流电压曲线如三极管的放大区。
3、在放大状态（MOS管工作于恒流区）时，输出特性曲线可近似为与横轴平行的一根直线，因此此时可以用一根转移特性曲线来代替恒流区的所有曲线。但在可变电阻区时，对于不同的UDS，转移特性曲线变化很大。
4、UDSUGSUGSth时，恒流区相当于三极管放大区你现在可以计算一下UDS=8VUGSUGSth=2V，所以明显是属于恒流区，此时对于每个UGS，都有一个iD与它对应，MOS管可视为电压UGS控制的恒流源你可以参考童诗白。
5、. 功率MOS管的工作状态 电子负载是利MOS的线性区，当作可变电阻来用的，把电消耗掉。
MOS管的工作原理是什么?
工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。
MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。而当PN结处于正向偏置状态时，其电阻非常小，电流可以通过PN结流过。
MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。MOS管的结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成。