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详解功率MOS管的每一个参数
1、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。
2、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
3、负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。
4、V53A，600V55A，600V57A，600V60A的MOS，600V63A，600V67A，600V70A，600V72A的MOS，600V74A，600V77A，600V80A，600V85A，600V88A的MOS，600V90A，600V95A，600V100A，600V110A，600V120A的MOS管。
5、功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。电路中通常指元、器件上耗散的热能。功耗同样是所有的电器设备都有的一个指标，指在单位时间中所消耗的能源的数量，单位为W。电路中指整机或设备所需的电源功率。
高压mos管和低压mos管区别
工作电压范围：高压MOS管用于工作电压高的应用，在几十伏特至上百伏特的范围内，而低压MOS管适用于低的工作电压，在几伏特至几十伏特之间。
高压mos管与低压mos管的差异是：耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
通常耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢，也就是说其工作频率相对会低一些。
场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
一般是以200V 为分界点。低压MOS 一般用于消费类电子，以单节2V电池的保护板会用到低压线路，现在汽车充电线路板上面也会用到40-120V的MOS，封装一般已贴片为主，用量蛮大。
不可以。耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢，所以mos管耐压高不可以代替耐压低。MOS是MOSFET的缩写，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管，属于绝缘栅型。
电压过低对mos管带来什么影响
1、mos管栅极电压太低的影响很大。具体如下：mos管栅极电压太低会导致mos管导通不完全，内阻增大，发热量增加。mos管栅极电压太低影响电阻，电压越低电阻越大，会导致保险丝烧断。
2、MOS管相比三极管来讲，具有更低的导通内阻，在驱动大功率的负载时，发热量就会小很多。MOS管的驱动与三极管有一个比较大的区别，MOS管是电压驱动型的元件，如果驱动电压达不到要求，MOS就会不完全导通，内阻变大而造成过热。
3、电压过低，电流供不上，供电芯片发热，最终烧毁。低电压会伤及主板供电MOS管 同时也会影响显示器的供电电路 。移动电源连接不上有一部分原因可能是因为电压不足导致的，也有可能是本身就不读取移动硬盘。
4、当电路中的电压低于某一阈值时，MOS管会自动断开电路，从而保护电路中的设备免受过低电压的损害。该功能被广泛应用于各种类型的电子设备之中，如手机、笔记本电脑、电源等等。