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MOS管栅极电荷泻放较慢说明什么问题麻烦告诉我
1、导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。
2、电荷泻放慢，说明时间常数大。时间常数是Ciss与Rgs的乘积。栅源极绝缘电阻大，说明制造工艺控制较好，材料、芯片和管壳封装的表面杂质少，漏电少。时间常数大，栅源极等效输入电容也大。
国产低栅极电荷有哪些
1、n65在充电电源中应用于安定器、适配器、高频开关电源。5N65是一个高压功率MOSFET设计成具有更好的特性，如快速切换时间，低栅极电荷低通态电阻和高的耐用雪崩特性。
2、N65大电流场效应管封装系列。6N65具有低栅极电荷、低Ciss、快速切换、100% 雪崩测试、改进的dv/dt功能等特性。
3、uf2n30zg在液晶电视中的作用是提供一个最低通态电阻，低栅极电荷和出色的开关性能。
4、-55~+150℃ 引线数量：3 7N60插件封装系列。它的本体长度为10mm，加引脚长度为25mm，宽度为35mm，高度为55mm，脚间距为54mm。7N60有低栅极电荷、快速切换、100%雪崩测试，改进的dv/dt功能等特性。
5、飞虹FHP740W、飞虹F65R420A在国产品牌中具备低栅极电荷、开关速度快、高抗dv/dt能力、可靠性高等特点。
MOS管封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管
小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧至几十毫欧左右，选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能 影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。
选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。
，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。
Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。