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如何确定mos管中的GDS各级
1、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
2、可以用万用表测量场效应管的好坏。使用万用表二极管导通档，从左至右一般都是GDS排列，量最右边管脚S到中间脚D是否正向导通，但不短路，量左边脚G与右边脚S是否相互不导通，如此则为好的N-MOS。场效应管英文缩写为FET。
3、常用的场效应管---开关电源里开关作用场效应管---这节讲N沟道，P沟道以后讲 数字万用表：首先要确定G极。
MOS管的管脚分辨
1、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
2、漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。
3、MOS管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。
4、先确定MOS管的引脚：先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。
5、正面管脚向下从左到右依次是 G D S (也有特殊的)。带P的大多是P沟道的。万用表二极管档测量，如果都通了一定坏(半死状态测量很麻烦。
6、一般正面对你，（散热片为背面）左起为GDS。拿万用表量的话，S到D为正向二极管，拿电阻档量约为500K，二极管档量为0.4V。另外用电阻档量GS后，（红表笔接G，黑表笔接S）DS会通。
各种mos管都是GDS的顺序吗?如果不是,都是有什么样的顺序?
1、G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。
2、栅极，源极，漏极。mos管的三个电极之间有一个沟道，称为沟道效应，正确顺序为栅极，源极，漏极，在大多数的半导体器件中，由于制造工艺的限制，沟道的宽度都比较窄。
3、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。
有哪些原因使MOS管的三端(GDS)同时导通击穿?
1、(1)穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐步增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，产生电流较大。另一方面，耗尽层展宽大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。
2、(1)开关管负载为高频变压器初级线圈，是感性负载。
3、原因很多，如下：散热不良 显示器、电源和CPU等工作中发热量非常大，因此保持其良好的通风非常重要，如果显示器过热将导致色彩、图像失真甚至缩短显示器寿命。工作时间太长还会导致电源或主机散热不畅而造成电脑死机。
4、因为在制造过程中，自然形成许多寄生二极管，如图1所示为反相器电路，在正常电压下，这些二极管皆处于反偏，对逻辑功能无影响，但是由于这些寄生二极管的存在，一旦电源电压过高或电压极性接反，就会使电路产生损坏。
5、导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。
