本文目录一览：
- 1、关于MOS管中栅极电流的问题
- 2、什么是寄生电容
- 3、低阻抗钽电容
- 4、mos管寄生电容一般多大
关于MOS管中栅极电流的问题
1、在MOS管的工作过程中，如果栅极电流过大，会导致栅极和栅极氧化膜受到损坏，从而影响MOS管的性能和寿命。
2、MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）式中：Un：为电子的迁移速率。Cox：为单位面积栅氧化层电容。W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。
3、栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。
什么是寄生电容
寄生电容（parasitic capacitance），也称为杂散电容，是电路中电子元件之间或电路模块之间，由于相互靠近所形成的电容，寄生电容是寄生元件，多半是不可避免的，同时经常是设计时不希望得到的电容特性。
一般是指在印制板或其他形态的电路形式，在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容。这种电容的容量很小，但可能对电路形成一定的影响。
寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。
意思不同，用处不同。意思不同。寄生电容是指用于动态读写存贮器的电子元件；耦合电容是指分布电容产生的耦合方式。用处不同。寄生电容用于线圈与机壳之间；耦合电容用于工频高压及超高压交流输电线路中。
寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串联，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。
低阻抗钽电容
不是，低阻抗是指电容与其它普通电解电容相比，在相同的工作条件下，其等效的串联电阻要比普通的电解电容小的意思。电容的阻抗是在其两端加上120Hz的正弦交流电压测试的等效阻抗。
在电路可以抗击更高的瞬间浪涌电压，降低失效率，增加可靠性。
电容主要是容抗，但本身也有阻抗的，理想的电容是阻抗为零，可是那是不可能的，本质上说有阻抗就会有损耗。
低阻抗电路使用电压过高导致的失效 对于钽电容器使用的电路，只有这样两种；有电阻数据保护的电路和没有一个电阻以及保护的低阻抗控制电路。
在低阻抗电路中，电流瞬态冲击峰值取决于片状钽电容内部的ESR，承受相同的冲击电流，ESR低的片状钽电容比ESR高的失效可能性大。
钽电容全称是钽电解电容，也属于电解电容的一种，使用金属钽做介质，不像普通电解电容那样使用电解液，钽电容不需像普通电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸绕制，本身几乎没有电感，但这也限制了它的容量。
mos管寄生电容一般多大
这问题问的？MOS管是一个系列，功率从小到大很多品种，寄生电容各不相同。好比你问：一条船有多长？小舢板也许只有3米长，大油轮也许300米都不止。
mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。
小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧至几十毫欧左右，选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。