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关于双向可控硅的问题
可控硅导通条件：可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，控制极也要加正向电压。可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
双向可控硅两个阳极AA2没有区别，可以调换使用。双向可控硅的两个阳极是可以互换的，因为它没有阴极，它是工作在交流电路中，所以没有正负极，由于控制极与单向可控硅特性一样，故只要控制极不接错就行了。
可以实现 但是，交流和单片机之间要隔离，不要把交流引入单片机。可以使用光耦隔离，至于光耦怎么接线，你可以参照一下其它有关的电路。
比交流正半周时间短的）触发脉冲，可控硅导通，交流电压过零时可控硅关断。一定要知道被控正半周的时间，频率越高，正半周时间越短。如果“稍后”到第二个正半周又来了触发信号还没撤销，那就无法关断了。
晶闸管(可控硅)一且导通后，即使降低控制极电压或去掉控RS触发制极电压，晶闸管(可控硅)仍然导通。
建议查该可控硅具体参数：触发电压、电流，根据参数修改电路，减少电路引入干扰。补充：双向可控硅触发灵敏度对2个极是不同的，一般规定其中1个极。是否电容接的“极”不对？如果不能排除故障，也可能元件性能不良。
IGBT的管压降VCE(SAT)的范围是多少?可控硅的管压降VT的范围是多少?
1、管压降可以理解为电流通过时两端的电压 例如二极管正向导通时的管压降硅管为0.7V锗管为0.3V 变频器中的IGBT模块触发导通时，同样会有管压降。压降乘以电流就是IGBT模块的发热耗散。
2、电压覆盖范围为100-3300V；华微电子布局第六代IGBT技术，电压覆盖范围为360-1350V；士兰微、时代电气、宏微科技应用第五代IGBT技术；新洁能主要应用第四代IGBT技术。
3、静态参数：饱和压降（VCEsat）1~3V，主极漏流（ICESS） 1~7mA，门槛电压（VGEth） 3~6V，门极漏流（VGESS）100~400nA，续流二极管压降（VF） 1~3V。
4、VCEsat 一般2-4V。（同样的管子集电极电流越大VCEsat越大，同样的管子驱动电压越高VCEsat越小）。
超低压降二极管哪里好
由于金属与半导体接触电阻非常小，因此肖特基二极管的正向压降非常低。
N4148是一种小型的高速开关二极管，开关比较迅速，广泛用于信号频率较高的电路进行单向导通隔离，通讯、电脑板、电视机电路及工业控制电路。
现在的肖特基二极管压降一般在0.25~0.3V，没有你说的这么小的。推荐你用SR360肖特基二极管，电流3A。隧道二极管压降超小，但很难买到。
可控硅怎么测量好坏?手把手教你快速判断可控硅好坏
1、测量可控硅好坏的方法如下：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
2、判断可控硅的好与坏最简单的方法：用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面，电阻应呈无穷大（表针基本不动），再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小，则说明该可控已损坏。
3、单向可控硅的检测：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。