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mos管ds之间的电流如何通过g的电压控制电路
1、一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。
2、场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。
3、在MOS管中，栅极与源极之间加上一定的电压，可以改变栅极和源极之间的电阻，从而控制漏极和源极之间的电流。具体来说，MOS管的结构由栅极、漏极和源极组成。
MOS管的工作原理
1、工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。
2、MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。MOS管的结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成。
3、MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。
4、mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
5、MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。当控制电压Vc较低时，MOS管的通道内的电流较小，导致电流I从输入端流向输出端的电阻R3，最终流入漏极。
6、它的工作原理与一般的MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）类似，都是通过控制门电压来控制导通的流动。不同的是，功率MOS管能够承受更大的电流和功率，并具有更高的额定电压。
mos管怎么保证一个电压段开启,一个电压段关断
一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。
下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。比如导通电压为3V的N沟道MOS管，只要G的电压比S的电压高3V即可导通（D的电压也要比S的高）。
在图一，是个Nmos，只能S极接地。因为通过Vgs的电压来开关mos。S极接地则S极的电势是0V。只需控制G极，即Vin1来控制这个Nmos。Vin1是高电平，则mos打开，Vin1是低电平，则mos关断。
你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
mos管是怎样控制电压的?
1、MOS管可以作为开关、放大器、稳压器等电路中的关键元件，其作用是控制电流的流动，从而实现电路的控制和调节。MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。
2、因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。
3、用G极的控制电压来控制MOS管的导通，饱和，截止等状态。使得D极的输入电压，在S极的输出电压上体现出不同的状态。
4、在MOS管中，栅极与源极之间加上一定的电压，可以改变栅极和源极之间的电阻，从而控制漏极和源极之间的电流。具体来说，MOS管的结构由栅极、漏极和源极组成。