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耗尽型mos管的开启电压一般小于零对吗
1、PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。
2、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
3、也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在。也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。
MOS管如何使用?
1、信号切换用MOS管： UG比US大3V---5V即可，实际上只要导通即可，不必须饱和导通。比如常见的：2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N。电压通断用MOS管： UG比US应大于10V以上，而且开通时必须工作在饱和导通状态。
2、使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。
3、对。选用开启电压低一些的，Vdss＞5V，Idss＞100mA即可，可以用AO3400。由于MOS导通电阻很小，可以忽略其压降，发光管压降按2V计算，发光管电流取10mA即可，所以R=(VCC-2V)/10mA，如果VCC是5V那么电阻R=300Ω。
4、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。
5、用mos管实现两输入比较器的具体步骤如下所示：选择两个MOS管，一个作为比较器的输入端，一个作为输出端。将两个MOS管的源极接地，栅极分别接入两个输入信号。
mos管驱动电压不足怎么办
由于三极管是电流驱动型的元件，所以不需要太高的驱动电压就可以饱和导通，而对于MOS管来讲，根据不同型号参数的，导通电压会有差别，单片机IO能够输出的电压，对于大部分的MOS管来讲是达不到其导通条件的。
第一种可能性是电源输入电压异常，可以检查电源线是否有断开或者蓄电池是否电量不足。如果是这个问题，你可以尝试更换电源线或充好蓄电池，以提供足够的电压。
在原MOS管上并联相同的管子，如果前级驱动能力不足，同样可以加强。
mos管gs开启电压最大最小
1、IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。
2、V。GS极的耐压值，正向和反向都是20V，超出这个值，管子会坏需要注意。MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。
3、是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。
4、MOS管导通时栅极电压是5伏左右。20伏是极限电压。
5、vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。
6、指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。