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mos管驱动串磁珠方法
1、首先，栅极串联10欧左右的电阻，降低LC振荡电路的Q值。其次，驱动电路结构尽量简单，最好有隔离。最后，电阻限流，然后接入到MOS管的G极即可。
2、Q5为NMOS管，R12为限流电阻（或是偏置电阻），源漏之间的二极管为保护二极管。 源极接地，电压为0，当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时，就可在源漏之间形成导电沟道，产生电流。
3、mos管套磁珠可以降低传导原因：磁珠中的铁氧体等效于电阻以及电感的并联。磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。
4、选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。
5、普通使用做开关控制，建议不要超过100欧。另外，如果你的驱动频率很高，这个电阻必须减小，甚至改为0欧也是可行。频率100K以上，必须使用专门的驱动电路（比如，图腾柱方式）或者MOS管专用驱动IC，不然的话MOS管容易烧毁。
采用图腾柱方式驱动MOSFET电路设计
1、采用图腾柱方式驱动MOSFET的电路分析原理图上图为典型的图腾柱输出方式驱动MOSFET的电路。由于前端I/O口的对外驱动能力（一般为十几或者二十几mA）有限，为了提高对MOSFET的驱动能力，因此采用图腾柱电路。
2、才能确保栅极电压以极快的速度跳变，由此所产生的栅极电流峰值甚至可以超过10A，这种情况下当然首选驱动能力强的乙类放大电路（MOS这里叫做图腾柱电路）来提供栅极信号。
3、可以正常驱动75NF75管10对，直驱动3对没问题。c8050的平面对自己，123脚分别是EBC极/ C8550的123脚分别是CBE。
4、这样的优点让采用MOSFET实现模拟电路不但可以满足规格上的需求，还可以有效缩小芯片的面积，降低生产成本。
5、按你的电路图（第一图），把Vcc到电源地的电压差全部加在两个三极管的发射结上，那两个三极管至少立刻就会烧毁一个。你的第二图中不是图腾柱输出，属于OC输出。
6、MOSFET驱动一般需要注意这三点：低压应用 当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。
两个三极管组成图腾柱是什么意思?
1、图腾柱就是上下各一个三极管，上管为NPN，c极(集电极)接正电源，下管为PNP，c极(集电极)接地。两个b极(基极)接一起，接输入，上管和下管的e极(发射极)接到一起，接输出，像一个“图腾柱”。
2、TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门。因为TTL就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。
3、TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门。因为 TTL就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。