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mos管的作用及原理
MOS管可以作为开关、放大器、稳压器等电路中的关键元件，其作用是控制电流的流动，从而实现电路的控制和调节。MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。
可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。
mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。
工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。
其主要原理如图：作用：由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。
功率MOS场效应晶体管的结构
1、导电机理与小功率mos管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
2、MOSFET（金属-氧化-半导体场效应晶体管）是一种主要用于电子器件的场效应晶体管。以下是关于MOSFET的简介：MOSFET的结构：- 金属（Metal）：MOSFET的栅极是由金属制成的。
3、MOS管是一种场效应晶体管，它是由金属、氧化物和半导体材料组成的。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。
4、导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
5、功率MOSFET(金属－氧化物-半导体场效应晶体管)是最重要的一种功率场效应晶体管，除此之外还有MISFET、MESFET、JFET等几种。功率MOSFET为功率集成器件，内含数百乃至上万个相互并联的MOSFET单元。
6、功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS 型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称功率MOSFET（Power MOSFET）。
功率场效应管和三极管的导通饱和压降各有什么特点?
1、功率三极管的饱和导通电压比较小，大功率管的uces在1-3v。功率场效应的饱和导通电压要稍大，通常udss在5v以上。
2、功耗大小不一样。场效应管发展很快，现在的低压场效应管的导通电阻可以做到2毫欧晶体管的导通压降在0.2-0.3V，所以开关电源常用。驱动更便捷。在不要求速度的条件下，场效应管的驱动简单（电压型）。
3、大功率场效应管导通后，特性为纯阻性。普通三极管饱和导通时几乎是直通的，有一个很低的压降，称为饱和压降。
详解功率MOS管的每一个参数
1、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。
2、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
3、例如，一个典型的晶体管型号可能是“IRF740B”，其中爱尔兰“表示制造商(国际整流器)，740“表示额定电压(740伏特)，“B”表示这是N沟道晶体管。
4、负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。
5、V53A，600V55A，600V57A，600V60A的MOS，600V63A，600V67A，600V70A，600V72A的MOS，600V74A，600V77A，600V80A，600V85A，600V88A的MOS，600V90A，600V95A，600V100A，600V110A，600V120A的MOS管。