n50三极管（n50三级管）

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N50C三极管可以用EUM091R、EUM092R三极管替换。13N50C三极管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上。

可以使用FDPF13N50N直接代换，它们的参数一样，只是序号有差别。也可以使用EUM091R、EUM092R直接代换，参数一模一样。

n50是绝缘栅极场效应管，一般功率场效应管D、S极有一个反向并联二极管，所以用万用表量DS间成二极管特性，栅极是绝缘型的，和任意脚电阻无穷大。

不能互换。只能是23N50换13N50。虽然二者电压相等，都是耐压500V，但电流不同。前者电流为最大13A，后者最大电流23A。所以只能是后者换前者。

1、可用于替代各类电流不超过12A、耐压不超过500V的N沟道场效应管。

2、根据充电器内损坏三极管的型号可以查到特性像似的三极管可以进行代换。

3、用插件三极管可以代替。贴片三极管和插件三极管是一样的，只不过是封装不同而已。贴片更小，省空间和免去人工插件。插件一般是TO-92封装，而贴片一般是SOT-23封装。两者在放大参数上基本是一样的。

4、DG6是NPN型小功率高频三极管，可用9012N5551等一些小功率NPN型的高频三极管代换；3DG12是NPN型高频中功率管，可用9012N5551等代用；3AX31是PNP型低频小功率三极管，可用2N5409015等代用。

5、原则上可以，实际上不能。原因金属外壳的三极管，其芯片在管壳里面是悬空的，锉掉顶部后可以暴露在光环境下，而9019018050等三极管是塑封管，无法锉开使其芯片暴露，加工的时候，极易损坏芯片。

要说质量肯定是英飞凌的好，那是没话说的。但是相对的价格也很高。像国内的嘉兴斯达的IGBT模块，芯片是采用英飞凌的，封装是自己装，所以质量上和英飞凌相差不大，但价格上比英飞凌便宜很多。富士的芯片跟英飞凌还是要差的。

通用变频器上，可用英飞凌 FP75R12KE3/4来替换。

新洁能IGBT基于沟槽电场截止型IGBT技术（Trench Field Stop）理论，进一步优化了器件结构，采用了先进超薄片工艺制程（Ultra Thin Wafer Process），大幅提高了器件的功率密度，显著改善了动态、静态性能。

则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。

n50三极管（n50三级管）

当然可以，500V100a这个管一般用在比较高的输入电压的逆变器中，耐压大，但内阻也比较大，24V电池左右的逆变器一般都是用100V耐压的管子，内阻小，也便宜点。

MOS管是电压驱动不需要电流，电流只用于栅极电容充电。

用于电视机。型号是FDL100N的三极管，可以用于电视机，是组成电视机的一部分。FDL100N是三极管的一个型号，三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

可以使用FDPF13N50N直接代换，它们的参数一样，只是序号有差别。也可以使用EUM091R、EUM092R直接代换，参数一模一样。

n50是绝缘栅极场效应管，一般功率场效应管D、S极有一个反向并联二极管，所以用万用表量DS间成二极管特性，栅极是绝缘型的，和任意脚电阻无穷大。

首先，需要确定电路中需要替换的三极管元件类型和参数。这些信息可以从电路原理图或者元器件清单中获取。接下来，需要选择合适的贴片三极管进行代换。贴片三极管的选择应该考虑到其尺寸、参数、价格等因素。

1、可以用N沟道场效应三极管，或者满足5N代表5A，60表示耐压600V这个条件的都可以代换的，还有常见的有6N60；8N60；10N60等等都是可以的。

2、这时N沟道场效应三极管。5N代表5A，60表示耐压600V，只要满足这个条件的都可以代换。常见的有6N60；8N60；10N60等等都行。

3、n60c和10n60D可以代换。电动车充电器10N60B可用其他管子代换。7N60 8N60 11N60，7N90，都可以代换，充电器是采用高频电源技术，运用先进的智能动态调整充电技术。