mos管是双向的（双向mosfet）

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1、是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。

2、只要加适当的电压，将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管，在GS两个脚加正电压，这时2A电流从S到D流过却可。如果MOS不导通，电流也可以从S到D流过，因为管内有二极管。（MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。

3、可以，只是在正常的驱动电路上把D和S交换位置即可，是MOSFET导通，不通过体二极管，同步整流的MOSFET都是这么接的。就像下面这个简图。

4、MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

5、在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。

1、根据在门极(G)和主端(T1)间的正或者负的初始电流脉冲的不同，一般的四象限双向可控硅的门极允许在两个方向上都可以导通。

2、在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。

3、因此，我们可以得出结论：曲线y = x^2在第一象限内。另一种证明曲线y = x^2在第一象限内的方法是使用数学推导。

信号切换用MOS管： UG比US大3V---5V即可，实际上只要导通即可，不必须饱和导通。比如常见的：2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N。电压通断用MOS管： UG比US应大于10V以上，而且开通时必须工作在饱和导通状态。

在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。

如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。

导通：Vg大于Vs 5V以上时，MOS管的D极和S极之间双向导通。截止：Vg小于等于Vs时，MOS管的D极和S极之间截止。导通：Vg小于Vs 5V以下时，MOS管的D极和S极之间双向导通。

并不是说一导通就是饱和；他有截止，线性，饱和3中状态。线性区的时候Vds应该很小，如果你现在在饱和区，说明VdsVgs-Vt，也许直接MOS管把你准备用来给LED的开启电压都用光了。。当然了，还是得看整体电路。

mos管是双向的（双向mosfet）

1、因为对于MOS管来说，管内的衬底在制造时被连接到了S端，S端已经被确定了，而DS端无法互换，但是DS间的电流方向却可以是双向的。

2、N道的MOS管箭头是向内侧指向，P道的箭头是向外侧指向的。导通条件都是靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N道G极电压为+极性。对P道的G极电压为-极性。

3、由于这个寄生二极管的存在，当沟道关闭后，mos管源漏之间仍然能够单向导电。因此，为了让mos管正常工作，必须保证该寄生二极管处于反偏。

4、mos场效应管图形符号的箭头也是表示电流反向的，mos场效应管有P型沟道和N型沟道两种。

mos管用作了可双向导通的开关，工作在开关状态。

放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。

一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。

MOS管的工作原理可以分为三个阶段：截止区、线性区和饱和区。在截止区，栅极电压较低，无法形成足够的电场，半导体中的载流子浓度很低，电路中的电流非常小。