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晶振负载有哪些常见的规格？
一般的晶振的负载电容为 15p 或 15p ，如果再考虑元件引脚的 等效输入电容，则两个 22p 的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的 选择。
负载：7~22PF 体积：49US 15*68*8mm 应用：适用于读卡器、数码摄像头、计算机、笔记本、路由器、交换机、监控安防等。
晶振的负载电容是根据产品需要设定，常用的晶振频率为9PF、12PF、20PF等，3768K晶振频率则是7PF、9PF、15PF。
最常见的是15PF 。这个是最普遍的，还有是6PF。其他的各个负载也都五法八门的，根据不同的方案而不同。
第二点：负载电容(CL)首先确认选择的是无源晶振，那么要根据芯片方案所需晶振负载参数，选择对应负载电容参数的晶振。若负载电容选择错误，会导致晶振输出频率严重偏移目标频率，容易造成系统开机不良。
这里说的负载电容是晶体的负载电容，不是说的晶振左右两个电容值，晶体负载电容是晶体自身的一个参数，3768KHz晶体负载电容有15pf、9pf、8pf、6pf等规格，ds1302手册上明确要求3768KHz晶体负载电容选用6pf的。
mos管跨导参数kn单位
1、MOS管主要参数如下：开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOS管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。
2、mos管的kn是贴片标志。根据查询相关公开信息显示在mos类型的三极管中，生产贴片都会有kn字样的生产贴片标志。MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流。
3、然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）。以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。
4、跨导的单位为S（西），为欧姆的倒数，即1S=1/Ω。此定义适用于任何电压控制型放大元件，如电子管（真空三极管）、场效应管等。
MOS管的工作原理
1、工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。
2、MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。
3、MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。MOS管的结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成。
4、mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
5、MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。当控制电压Vc较低时，MOS管的通道内的电流较小，导致电流I从输入端流向输出端的电阻R3，最终流入漏极。
6、它的工作原理与一般的MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）类似，都是通过控制门电压来控制导通的流动。不同的是，功率MOS管能够承受更大的电流和功率，并具有更高的额定电压。