本文目录一览：
- 1、ASEMI的MOS管7N65的静态漏源导通电阻是多少?
- 2、ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法
- 3、ASEMI中小功率MOS管20N10的连续漏极电流是多少?
- 4、P-MOS管输出端加大电容后一直处于导通状态
ASEMI的MOS管7N65的静态漏源导通电阻是多少?
静态漏源导通电阻RDS(on)，在特定的VGS（通常为10V）、结温和漏极电流的条件下，MOS管7N65导通时漏极和源极之间的最大电阻。这是一个非常重要的参数，决定了MOS管7N65开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。
网上可以查到的。通常这种型号，导通电阻都是毫欧级的，很小。
相当于两个背靠背连接的PN结，它们之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。
开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
如图，在MOS管中，漏极所接线是位线而栅极所接线就是字线。字线为高电平时T管导通，字线为低电平时则截止。
ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法
1、引线数量：3 大功率MOS管60N10的检测方法：准备 测量前，在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连，使人体与大地保持等电位，再把管脚分开，然后拆掉导线。
2、用测电阻法判别场效应管的好坏：测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
3、必须保证输入电源大于等于MOS管10N65的阈值电压。MOS管的漏极电压和栅极电压不能超过击穿电压。应选择合适的限流电阻给LED供电。连接时应始终使用栅源电阻。
ASEMI中小功率MOS管20N10的连续漏极电流是多少?
1、MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的漏极电流通常由以下公式计算：ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中：ID 代表漏极电流（Drain Current）。
2、MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）式中：Un：为电子的迁移速率。Cox：为单位面积栅氧化层电容。W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。
3、N20的脉冲二极管正向电流(ISM)为72A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N20的栅极阈值电压(VGS)为±30V，静态漏源导通电阻RDS(on)为0.18Ω。
4、ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。
5、额定电压越大，器件 的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
6、考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。
P-MOS管输出端加大电容后一直处于导通状态
我的 P-MOS管输出端加大电容后一直处于导通状态 我只要再28VOUT端加上大电容后，不管G极电压变化MOS管一直处于导通状态。如果28VOUT端不加大电容后，MOS管随G极电压变化能起到开关作用。请问这大电容到底影响了什么东西。
完全可以让MOS处于开通状态，不过前提是你MOS的导通内阻要很低，并且散热一定要好，要不然很难工作。
P沟道MOS管导通的条件是在栅极G加触发电压，使源极S与漏极D导通。在P沟道MOS管中，当栅源电压差大于阈值电压时（即VGSVth），会形成一个由正负载流组成的导通路径，使漏极D和源极S之间可以通过电流进行传输。
就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。你在栅极施加的电压只有5V（对于单管而言我认为栅极电压低了，一般应该在12V左右比较好），这个电压下MOS管的夹断电阻依然比较大，所以输出只有8V。
P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。
导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。这就是后面介绍电路图中栅极所接电阻至地。