低vgs的mos管（mos管vgs电压偏低）

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si2301是低压P沟道MOS场效应管，当漏极电流为3A时，压降约为.03欧姆。

找不到最大电流60A的，瞬时脉冲电流可以超过60A，但是连续电流最大只有50A的，导通内阻也没有那么小的。MTP50P03和MTB50P03，最大连续电流50A，瞬时脉冲电流150A，开启电压典型值5V，最大值2V，导通电阻20mΩ。

但是pmos没有nmos流行的原因是，pmos导通压降大，效率低，Pmos的同态电阻比NMOS大，输入电压低，而且还有成本问题，所以开关电源主开关管很少用PMOS导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

你这个是不是要的是Vgs（th）=2-4V呢，而不是Vgs=2-4V。Vgs（th）是MOS管的开启电压，一般来说，只有Vgs（th）才会这么小的。

同样的材料BE压降都差不多，导通压降倒是可以小一点，但再小也小不过MOS管，以你的条件只好选锗管了，但货源很少。如果是工程上用，不必苛求，出货量大的通用器件价格低代换方便技术成熟，更利于控制成本。

低vgs的mos管（mos管vgs电压偏低）

-5v可以驱动的mos管，所有的开关三极管、MOS管、可控硅、节能灯、电子镇流器里使用的1300130013007等都能被驱动。根据相关公开资料查询了解到，MOS，是MOSFET的缩写。

和单片机搭配的MOS管VDSS=20V或30V的即可，UT230UT230UT3400、UT340NCE3010等等都可以用单片机驱动，可以根据你用的功率来选择。如果VDSS在60V或者一样一般就驱动不起来了，30V以下的VDSS的MOS一般都可以驱动。

总结来说，除了华硕比较另类签下了NXP，其它牌子用的多的都是ONsemi，常见型号例如NTMFS4935/4845/4841，NTD4805/4809/4959。

同理，导通电压为3V的P沟道MOS管，只要G的电压比S的电压低3V即可导通（S的电压比D的高）。

因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极(表示为“G”)、Source源极(表示为“S”)、Drain漏极(表示为“D”)。

MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制构成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

1、还不错。龙腾mos管具有输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好等特点，已广泛应用于开关电源、汽车电子、工业控制等行业领域。

2、电脑主板的MOS管是场效应晶体管器件，两个或三个一组，或多相组合，用来与主板上电压控制分配 IC配合，进行DC-DC直流电压变换，为CPU或内存，以及各板载IC芯片，或接口插槽，提供所需工作的稳定供电。

3、MOS 是金属-氧化物-半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）的缩写。这是一种常见的半导体器件结构，通常用于制造各种电子元件，特别是MOS场效应晶体管（MOSFET）。

1、你那个图，M不是mos，2V/600mA应该是描述额定工作状态，跟MOS管的VGS没关系的，再说，你图上Q4是个三极管。

2、富士FAP-|||B系列的VGS大多是5V。这些是低压管，市场定位不太匹配，可能成本比较高。列举几个型号给你：2SK2806-01；2SK2808-01MR；2SK2896-01L，S。

3、指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。

4、电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

1、Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。

2、Vgs是负压是PMOS类型的管子。Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区。

3、pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。

4、VGS 是栅极与源极之间的电压。Vth 是MOS管的阈值电压。这个公式的详细解释如下：漏极电流（ID）是MOS管中的电子流，取决于沟道的尺寸（W 和 L）以及施加在栅极和源极之间的电压（VGS）。

5、Vds是MOS的漏极电压，Vgs是栅极电压，也称为阀值电压开启电压，是导通MOS管的一个值。

6、指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。