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哪位大神指导如何估算MOS管的驱动电流?
1、MOS管是电压驱动部件，驱动电流很小，具体驱动电流要结合周边电路来分析。
2、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。
3、导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。
4、MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）式中：Un：为电子的迁移速率。Cox：为单位面积栅氧化层电容。W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。
mos管最大电流是多少
IXFN44N50Q2：这是英飞凌公司生产的一种大电流mos管，最大漏极电流可达44安培，最大漏极电压可达500伏特。
以专业做高压MOS的日本富士（FUJI）来作参照。ID最大100，ID（pulse）最大400。型号是2SK3883-01。以专业做低压高电流的IR品牌作参照。ID在25摄氏度最大的是522，型号IRFS7430-7P。
首先需要说40V不是开启电压，开启电压又叫阈值电压，一般都在2-6V之间。如果有型号可以查它的各种参数，如果单看40V5A，一般指的的是漏源击穿电压40V，漏源额定工作电流5A。
A。根据查询百度百科信息显示，贴片mos管电流8A，贴片MOS管具有尺寸小和轻量化的优点，用于紧凑空间和轻量化产品的设计。
没提到VDS的要求，最大的如VISHAY的：SI2333CDS ：最大可以-1A，在VGS -0.45V；SI2377EDS 可以到-4A。
MOS管驱动电流
A。MOS管承受电流6到9A最大不会超过20A。三极管最大特点是输入阻抗高。作为放大电路或者担任功率放大也可以。
第一种：可以使用如下公式估算：Ig=Qg/Ton 其中：Ton=t3-t0≈td(on)+tr td(on)：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。Tr：上升时间。
mos管是目前需要驱动电流最小的器件之一，5A左右的mos管很容易找的，当然你也可以用大于5A的来代替，一般的普通功率的也就一两块钱，贵的十几元二十几元。
串电阻是防止振荡。如果你直接用IO驱动，驱动电流最大也就20mA，电阻太大不合适。普通使用做开关控制，建议不要超过100欧。串电阻是防止振荡。如果你直接用IO驱动，驱动电流最大也就20mA，电阻太大不合适。
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。
那么驱动功率W=E*K，电流在电阻上的回路几乎可以忽略，这就为什么说MOS管静态损耗小的原因，可是作为开关管的话，电流大小就跟频率成正比，栅极的寄生电容是并联在G S极的，这个就是回路。
mos管的最大持续电流是如何确定的?
确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。
MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的，使用电气参数测量方法无法确定，不过可以使用测量导通电阻方法估算，大约是V/导通电阻，V是参考压降，取值0.8-3，高压管取值大些，低压管取值小些。
确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
关于MOS管中栅极电流的问题
1、在MOS管的工作过程中，如果栅极电流过大，会导致栅极和栅极氧化膜受到损坏，从而影响MOS管的性能和寿命。
2、栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。
3、MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）式中：Un：为电子的迁移速率。Cox：为单位面积栅氧化层电容。W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。
4、电子管栅极电流过大原因有好几种。短路，用电器总功率过大，保险丝原理，采用电阻大，熔点低的材料制成，当电流过大时，由于温度升高而熔断，切断电路，起到保护作用。
电源芯片选型
1、电源芯片如何选型如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率，最重要的是成本低。
2、根据输出功率（输出电压、输出电流），可以计算出原边峰值电流，再以这个数值的2倍以上选择合适的MOS，再根据这个MOS的G需要的电压、电流，来选择有对应输出能力的开关芯片。
3、可以用LN2351的芯片，电流不大就直接升压，输出大约有200MA。需要大电流时外扩MOS。需要注意的是，如果用芯片，BL8505三端升压稳压IC，该IC最低工作电压仅0V。输出电压范围5~0V，步进0.1V。