igbt与可控硅的区别（igbt与可控硅的区别在哪）

本文目录一览：

两者不同。。可控硅是个稳压元件你提供的电流大小可控硅的导通程度不一样，简单的说可以调大调小所以说是可控。

IGBT是新型开关器件，开关速度快，加控制信号导通，去掉控制信号截止，控制方便，导通压降低，功耗低。IGBT的最大电流只有额定电流的2倍，耐冲击能力差。可控硅是传统的开关器件，控制功率大，耐冲击能力强。

但是，它容易做到高电压，大电流。所以，像动车组，电动汽车等都用它（反相击穿电压几千伏）。由于它导通后会像三极管一样有ce电压。所以不适合用于低电压电路，相对来说开关损耗会变大。

大功率整流用可控硅。IGBT与可控硅相比各有优点，前者是可控制开-关元件，后者大多数是只能控制开，不能控制关（现在有可关断可控硅了）。

igbt与可控硅的区别（igbt与可控硅的区别在哪）

1、还不错。龙腾mos管具有输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好等特点，已广泛应用于开关电源、汽车电子、工业控制等行业领域。

2、电脑主板的MOS管是场效应晶体管器件，两个或三个一组，或多相组合，用来与主板上电压控制分配 IC配合，进行DC-DC直流电压变换，为CPU或内存，以及各板载IC芯片，或接口插槽，提供所需工作的稳定供电。

3、MOS 是金属-氧化物-半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）的缩写。这是一种常见的半导体器件结构，通常用于制造各种电子元件，特别是MOS场效应晶体管（MOSFET）。

4、高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低。

mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。

其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。

IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。

主要作用：普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。

1、工作频率，小于比电流谐波含量。逆变焊机比可控硅整流焊机省电约30%左右，但是逆变焊机工作频率要比可控工作频率高得多。可控硅焊机的电流谐波小于比逆变焊机的电流谐波含量，所以可控硅贵。

2、在其它条件相同的条件下，IGBT电炉比可控硅电炉节电0.0976％，几乎可以忽略。如改变其它条件，IGBT电炉采用串联逆变，通过提高中频电压节电，那就是另外回事了。

3、这两种焊机都好。IGBT焊机是较可控硅新一代的产品。其工作频率高，因此焊机体积小，比较节能。对于常用手工焊及气保焊，IGBT技术足以胜任这项工作。

IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制；可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。具体可以查看有关书籍或在网上搜索。

两者不同。。可控硅是个稳压元件你提供的电流大小可控硅的导通程度不一样，简单的说可以调大调小所以说是可控。

可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。

igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。所以，像动车组，电动汽车等都用它（反相击穿电压几千伏）。由于它导通后会像三极管一样有ce电压。

低开关损耗： SiC模块的开关损耗较低，可以提高系统效率。硅基IGBT功率模块的主要优势包括：成熟技术：硅基IGBT已经在市场上应用了很长时间，技术相对成熟，制造和维护相对容易。

单管igbt。单管igbt和可控硅是单管igbt电流大，igbt的通态压降很低，特别是在大电流的情况下更为明显。

可控硅具有关断周期，而IGBT可以随时关断，这就是它的优势。

肯定不行呀。IGBT是全控型器件，可控硅是半控型。且IGBT的开关频率和可控硅不是一个等级的。

但相比之下，可控硅的应用范围相对狭窄，但因为这些器件中，可控硅是最廉价的，工艺成熟，可做成高压、大电流，所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。

两者不同。。可控硅是个稳压元件你提供的电流大小可控硅的导通程度不一样，简单的说可以调大调小所以说是可控。