本文目录一览：
- 1、这个驱动mos管的电路图,我这样分析对吗?请分析判断下
- 2、半导体器件的寄生二极管、擎住效应和二次击穿
- 3、请问mos管栅极、源极、漏极的由来
- 4、单片机pwm驱动mos管的问题
- 5、mos管和晶闸管原理一样么?都是三个pn结,结构一样?
这个驱动mos管的电路图,我这样分析对吗?请分析判断下
逻辑正确，还稍有点问题：Q1截止时，如果没有后面的Q2，则RR3会将电压平分；不过这里Q2基极电压受BE结正向压降限制，不会是65V了，而是约为0.7V。
这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上，而不应该挂在S极上，也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。
输入控制信号是PWM1 当PWM1是高电平时，Q2导通，Q1也导通，+5V通过QDR1给MOS_1提供（大电流）高电平；当PWM1是低电平时，Q2截止，Q1也截止，Q3因基极电阻R6导通，MOS_1为低电平。
MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。
Q5为NMOS管，R12为限流电阻（或是偏置电阻），源漏之间的二极管为保护二极管。 源极接地，电压为0，当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时，就可在源漏之间形成导电沟道，产生电流。
半导体器件的寄生二极管、擎住效应和二次击穿
单极性器件易损坏MOS管属于单极性器件，在导通过程中施加反向电压，很容易损坏。擎住效应具有破坏性对于晶闸管和GTO，擎住效应是正常的，而对MOS或者IGBT，这个效应是具有破坏性的。
碰撞离化、雪崩和击穿效应是许多重要的半导体器件的基础。如雪崩光二极管、雪崩晶体管、抑制器、锐化二极管(击穿被延迟的二极管)、Impact和俘获等离子雪崩触发渡越二极管等。
擎住效应，在IGBT内部寄生着一个N-PN+晶体管和作为主开关器件的P+N-P晶体管组成的寄生晶闸管。
请问mos管栅极、源极、漏极的由来
栅极，源极，漏极，三个名字是从英文而来的。栅极(gate electrode)gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。
S（Source，源极）：这是MOSFET的源极，通常是电流进入MOSFET的地方。 D（Drain，漏极）：这是MOSFET的漏极，通常是电流离开MOSFET的地方。栅极控制了源极和漏极之间的通道的导电性。
gate相当于一个门（开关）VG大于VT管子导通，源就是电子来源的地方，漏就是电子消失（漏掉）的地方。
MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
在MOS管中，栅极与源极之间加上一定的电压，可以改变栅极和源极之间的电阻，从而控制漏极和源极之间的电流。具体来说，MOS管的结构由栅极、漏极和源极组成。
G：gate栅极；S：source源极；D：drain漏极。MOS管的source（源极）和drain（漏极）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。
单片机pwm驱动mos管的问题
1、A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V，不足以影响负载吧？门极导通电压为1V~4V，标称3V；7V的锂电池，饱和是2V，选择3V工作的单片机，足够驱动了。
2、应该不是MOS管发出的声音，可能是电容发出的声音。
3、下面回答你的问题：单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。
4、响应速度比较快，使用PID的话，响应速度比较慢，导致较大的电流波动，也加重了单片机的负荷，因为经常运行极慢的浮点数。而硬件的PID，则可以考虑其1或2，不必P，I，D都考虑，否则电路设计起来很麻烦，难调试。
mos管和晶闸管原理一样么?都是三个pn结,结构一样?
MOS管是一种场效应晶体管，它是由金属、氧化物和半导体材料组成的。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。
晶闸管有三个pn结，晶闸管由四层半导体PNPN、三个PN结(JJ2和J3)构成，具有三个电极。
pn结的形成pn结的形成是在p型半导体与n型半导体之间在电场的作用下的扩散运动形成的势垒区（domain）。pn结的导电能力半导体中的电子必须从低能级跳到高能级，才能形成自由载流子（freecarrier）。
单向晶闸管是PNPN闪层结构，形成三个PN结，具有阳极人、阴极K和控制极G三个外电极。单向品闸管可等效为PNP， NPN两个晶体管组成的复合管。在阳极之间加上正电压后，晶闸管并不导通。