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求MOS管和双极型晶体管的内部结构图?并指出每个部分是由什么材料制成...
1、MOSFET 的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor 场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
2、MOS结构包括以下三个主要部分： 金属（Metal）：这是指位于半导体上的电极，通常是铝或其他导电材料。金属电极用于提供或收集电流。 氧化物（Oxide）：这是一个绝缘材料层，通常是二氧化硅（SiO2）。
3、MOS管是一种场效应晶体管，它是由金属、氧化物和半导体材料组成的。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。
4、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
5、MOS依照其“通道”的极性不同，可分为N沟与‘p“沟的MOSFET结构。如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。
绘制一个双阱COMS工艺的N型MOS管的剖面图。
1、MOS依照其“通道”的极性不同，可分为N沟与‘p“沟的MOSFET结构。如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。
2、绘制一个双阱COMS工艺的N型MOS管的剖面图。 这句话怎么理解，特别是“N型MOS管”，是不是一个N阱，一个P阱，然后衬底为N型。
3、MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。MOS管MOS管又分为两种类型：N型和P型。
4、貌似..是源漏外接时，高掺杂才能形成欧姆接触，所以用+。
5、CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。CMOS中的C表示“互补”，即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上，制作CMOS集成电路。优势：CMOS集成电路具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等众多优点。
高分请教MOS管问题
1、首先是MOS符号，一楼的说的不错，有很多种表示方法。一般来说，我们都是把右边三条竖线连在一起的，也是比较通用的表示方法。
2、mos管gs波形有个负压是mos管的驱动电路出现了问题。原因包括：驱动电路中的电容或电阻出现故障，导致栅极电压无法正确地施加到MOS管上。mos管本身存在损坏或质量问题，导致其无法正常工作。
3、优质的MOS管能够承受的电流峰值更高。一般情况下我们要判断主板上MOS管的质量高低，可以看它能承受的最大电流值。影响MOS管质量高低的参数非常多，像极端电流、极端电压等。
4、GS耐压不够高是主要原因，另外DS间导通时电流过大也容易烧管子。mos管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。
5、无非就是两种情况：第一，MOS管的内阻太大；第二，MOS管未完全开启，内阻也是很大的。你用的这个MOS管不知道是不是IR原装的？如果是原装的，可能MOS管没有完全开启；如果是国产仿IR的，出现这种问题也是不足为奇的。
6、源极和衬底连接是MOS管的一种用法。两者相连时相当于pn结（衬底-源）上接零电压，pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡，pn结上总电流为零。 栅源不加电压时，沟道不开启，不会有漏源电流。